[发明专利]一种GaN芯片的封装结构

权利要求书

1.一种GaN芯片的封装结构，包括框架基岛、框架引脚、GaN芯片、控制芯片和塑封体，所述塑封体用于塑封框架基岛、框架引脚、GaN芯片和控制芯片，所述GaN芯片为场效应管，包括G极、S极和D极，所述GaN芯片正装固定在框架基岛上，所述GaN芯片的S极通过焊线与框架基岛电连接，GaN芯片的D极通过焊线与框架引脚连接，其特征在于，所述控制芯片上的控制引脚以铜柱的方式引出，所述控制芯片倒装地设置在框架引脚和GaN芯片上，控制芯片上的多个控制引脚分别与GaN芯片的G极、框架基岛和框架引脚直接焊接固定。

2.根据权利要求1所述GaN芯片的封装结构，其特征在于，所述控制芯片与GaN芯片3D叠层布置，且相互平行。

3.根据权利要求2所述GaN芯片的封装结构，其特征在于，所述框架基岛上设有凹槽，所述GaN芯片固定设置在凹槽内，GaN芯片的上表面与框架基岛和框架引脚的上表面平齐，所述控制芯片上的多个控制引脚高度均相同。

4.根据权利要求3所述GaN芯片的封装结构，其特征在于，所述凹槽通过机械加工去材料制成，或者通过激光加工去材料制成，又或者通过蚀刻工艺制成。

5.根据权利要求2所述GaN芯片的封装结构，其特征在于，所述框架基岛中部向下折弯出沉台，所述GaN芯片固定设置在沉台内，GaN芯片的上表面与框架基岛和框架引脚的上表面平齐，所述框架引脚的外侧端也向下折弯，框架引脚的下表面与框架基岛的下表面平齐，所述控制芯片上的多个控制引脚高度均相同。

6.根据权利要求2所述GaN芯片的封装结构，其特征在于，所述框架基岛的上表面和框架引脚的上表面平齐，所述控制芯片上与框架基岛连接的控制引脚的高度为A，所述控制芯片上与框架引脚连接的控制引脚的高度为B，所述控制芯片上与GaN芯片的G极连接的控制引脚的高度为C，其中，A=BC。

7.根据权利要求2所述GaN芯片的封装结构，其特征在于，所述GaN芯片通过粘胶固定在框架基岛上。

8.根据权利要求2所述GaN芯片的封装结构，其特征在于，所述框架引脚的内侧端底部还设有半蚀刻槽。

9.根据权利要求2所述GaN芯片的封装结构，其特征在于，所述控制芯片上的控制引脚的高度为30-200μm。

10.根据权利要求1所述GaN芯片的封装结构，其特征在于，与GaN芯片的D极相连接的框架引脚和与控制芯片的控制引脚连接的框架引脚分别位于封装结构相邻的两个侧面。