[发明专利]基板研磨方法及基板的金属层的去除方法

权利要求书

1.一种基板研磨方法，对基板进行化学机械性研磨，该基板研磨方法的特征在于，具有如下步骤：

使用处理液来研磨基板的步骤；及

在基板的研磨中变更处理液的温度的步骤。

2.如权利要求1所述的基板研磨方法，其特征在于，

还具有测定基板的被研磨层的厚度的步骤，

根据测定出的基板的被研磨层的厚度，变更所述处理液的温度。

3.一种基板的金属层的去除方法，用于去除形成于基板的金属层，其特征在于，具有如下步骤：

通过间歇性对基板的金属层供给氧化剂及/或错合物形成剂，从而在所述金属层的表面形成脆弱反应层；及

在处理液的存在下，将垫按压于所述脆弱反应层，从而研磨并去除所述脆弱反应层。

4.如权利要求3所述的基板的金属层的去除方法，其特征在于，

还具有在纯水的存在下将垫按压于基板来研磨基板的步骤。

5.如权利要求3所述的基板的金属层的去除方法，其特征在于，

具有如下步骤：在基板与垫尚未接触的状态下，将氧化剂及/或错合物形成剂供给至垫上后，使基板与垫接触。

6.如权利要求3所述的基板的金属层的去除方法，其特征在于，

具有从垫侧往基板侧间歇性供给氧化剂及/或错合物形成剂的步骤。

7.如权利要求6所述的基板的金属层的去除方法，其特征在于，具有如下步骤：

从垫侧往基板侧供给包含氧化剂及/或错合物形成剂的第一处理液；及

从垫的上方往垫供给包含成分与所述第一处理液不同的第二处理液。

8.如权利要求7所述的基板的金属层的去除方法，其特征在于，

所述处理液包含还原剂。

9.如权利要求3所述的基板的金属层的去除方法，其特征在于，

具有如下步骤：在金属层的去除中，改变氧化剂及/或错合物形成剂的供给量。

10.如权利要求3所述的基板的金属层的去除方法，其特征在于，

具有如下步骤：在金属层的去除中，改变将垫按压于基板的时间。

11.如权利要求3所述的基板的金属层的去除方法，其特征在于，

金属层包含具有铝、钨、铜、钌及钴的群组中的至少一者。