[发明专利]基板研磨方法及基板的金属层的去除方法

说明书

本发明的目的在于使具有凹凸的基板平坦化。本发明提供一种对基板进行化学机械性研磨的方法，该方法具有：使用处理液来研磨基板的步骤；及变更有助于基板的研磨的所述处理液的有效成分浓度的步骤。

本申请是下述申请的分案申请：

申请号：201880034573.2

申请日：2018年05月02日

发明名称：基板研磨装置及基板研磨方法

技术领域

本发明关于基板研磨装置及基板研磨方法。

背景技术

近年来，为了对处理对象物(例如半导体基板等基板，或是形成于基板表面的各种薄膜)进行各种处理，而使用处理装置。作为处理装置的一例，可举例如用以对处理对象物进行研磨处理等的化学机械研磨(CMP：ChemicalMechanical Polishing)装置。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2005-235901号公报

发明内容

目前在半导体装置的制造中，对于各步骤要求的精度已达到数nm的等级，即使CMP也不例外。又，随着半导体集成电路的形成的高集成化、微细化、多层化的发展也越来越快速。形成实现微细化的多层配线构造的情况中，即使配线表面仅具有些微的高低差亦不可轻视，形成于表面的凹凸会引起各种缺陷。于是，半导体装置的制造过程的研磨中，要求数nm等级的平坦化，并以原子层等级要求基板研磨的控制性。

[解决问题的技术手段]

[方式1]根据方式1，提供一种基板研磨方法，对基板进行化学机械性研磨，该基板研磨方法的特征在于，包含如下步骤：使用处理液来研磨基板的步骤；及变更有助于基板的研磨的所述处理液的有效成分的浓度的步骤。

[方式2]根据方式2，在方式1的方法中，所述处理液的有效成分具有下述至少一者：(1)使基板的被研磨层氧化的成分、(2)使基板的被研磨层溶解的成分、及(3)使基板的被研磨层剥离的成分。

[方式3]根据方式3，在方式1或方式2的方法中，还具有测定基板的被研磨层的厚度的步骤，根据测定出的基板的被研磨层的厚度，变更所述处理液的有效成分的浓度。

[方式4]根据方式4，在方式1或方式2的方法中，还具有测定所述处理液的pH的步骤，根据测定出的处理液的pH，变更所述处理液的有效成分的浓度。

[方式5]根据方式5，在方式1或方式2的方法中，所述处理液包含磨粒，所述基板研磨方法具有测定所述处理液中的磨粒浓度的步骤，根据测定出的磨粒浓度，变更所述处理液的有效成分的浓度。

[方式6]根据方式6，在方式1至方式5中任一方式的方法中，通过以纯水稀释所述处理液，从而变更所述处理液的有效成分的浓度。

[方式7]根据方式7，在方式1、2及4中任一方式的方法中，所述处理液具有氧化性成分，通过添加用于抑制所述处理液的氧化作用的还原剂，从而实际有效地变更该处理液的氧化性成分的浓度。

[方式8]根据方式8，在方式1、2及4中任一方式的方法中，所述处理液具有酸作为溶解性成分，通过在所述处理液中添加碱剂，从而变更溶解性成分浓度。

[方式9]根据方式9，在方式1、2及4中任一方式的方法中，所述处理液具有碱作为溶解性成分，通过在所述处理液中添加酸，从而变更溶解性成分浓度。

[方式10]根据方式10，提供一种基板研磨方法，对基板进行化学机械性研磨，该基板研磨方法的特征在于，具有如下步骤：使用处理液来研磨基板的步骤；及在基板的研磨中变更处理液的温度的步骤。