[发明专利]一种半导体激光元件

权利要求书

1.一种半导体激光元件，包括：

基板，具有第一表面，以及位于所述基板两侧的第一侧表面和第二侧表面，所述第一侧表面和所述第二侧表面沿第一方向延伸；

半导体叠层，形成于所述基板第一表面上，包括依次堆叠的第一半导体层、有源层以及第二半导体层，所述第二半导体层表面形成有脊部，所述脊部具有上表面和所述上表面相邻的侧表面，所述脊部沿第一方向延伸；

所述半导体叠层包括与所述脊部侧表面连接第一台面和与靠近所述基板第一侧表面或所述基板第二侧表面的第二台面，所述第一台面暴露出所述第二半导体层部分表面，所述第二台面暴露出所述第一半导体层部分表面；

其中，所述半导体叠层还包括暴露出所述第一半导体部分表面的连接面、第一段侧壁及第二段侧壁，所述第一台面与所述连接面之间具有所述第一段侧壁，所述第二台面和所述连接面之间具有所述第二段侧壁，所述第一段侧壁的长度大于或者等于所述第二段侧壁的长度。

2.根据权利要求1所述的半导体激光元件，其特征在于：所述第一段侧壁的长度与所述第二段侧壁的长度之间的比值大于5:1。

3.根据权利要求1所述的半导体激光元件，其特征在于：从与所述第一方向垂直的第二方向获得的剖面看，所述第一段侧壁与所述连接面之间的夹角为第一角度α1，所述第二段侧壁与所述的第二台面之间的夹角为第二角度α2，所述第一角度α1不同于所述第二角度α2。

4.根据权利要求3所述的半导体激光元件，其特征在于：所述第一角度α1大于或者等于所述第二角度α2。

5.根据权利要求4所述的半导体激光元件，其特征在于：所述第一角度α1大于或者等于90°，所述第二角度α2大于或者等于80°。

6.一种半导体激光元件，包括：

基板，具有第一表面，以及位于所述基板两侧的第一侧表面和第二侧表面，所述第一侧表面和所述第二侧表面沿第一方向延伸；

半导体叠层，形成于所述基板第一表面上，包括依次堆叠的第一半导体层、有源层以及第二半导体层，所述第二半导体层表面形成有脊部，所述脊部具有上表面和所述上表面相邻的侧表面，所述脊部沿第一方向延伸；

所述半导体叠层包括与所述脊部侧表面连接第一台面和与靠近所述基板第一侧表面或所述基板第二侧表面的第二台面，所述第一台面暴露出所述第二半导体层部分表面，所述第二台面暴露出所述第一半导体层部分表面；

其中，所述半导体叠层还包括暴露出所述第一半导体部分表面的连接面、第一段侧壁及第二段侧壁，所述第一台面与所述连接面之间具有所述第一段侧壁，所述第二台面和所述连接面之间具有所述第二段侧壁，所述第一段侧壁与所述连接面之间的夹角为第一角度α1，所述第二段侧壁与所述的第二台面之间的夹角为第二角度α2，所述第一角度α1不同于所述第二角度α2。

7.根据权利要求6所述的半导体激光元件，其特征在于：所述第一角度α1大于或者等于所述第二角度α2。

8.根据权利要求1~7任一所述的半导体激光元件，其特征在于： 以所述基板第二表面为水平面，所述脊部上表面高于所述第一台面，所述第一台面高于所述第二台面。

9.根据权利要求1~7任一所述的半导体激光元件，其特征在于： 以所述基板第二表面为水平面，所述连接面高度介于所述第一台面和所述第二台面之间。

10.根据权利要求1~7任一所述的半导体激光元件，其特征在于：从与所述第一方向垂直的第二方向获得的剖面看，所述第一台面的宽度大于所述第二台面的宽度，所述第二台面的宽度大于所述连接面的宽度。

11.根据权利要求1~7任一所述的半导体激光元件，其特征在于：所述半导体叠层还包括第三段侧壁，所述第三段侧壁与所述第二台面和所述基板的第一侧表面或第二侧表面连接。