[发明专利]一种半导体激光元件

说明书

本申请提供一种半导体激光元件，包括：基板；半导体叠层，包括依次堆叠的第一半导体层、有源层以及第二半导体层，所述第二半导体层表面形成有脊部；所述半导体叠层包括与所述脊部侧表面连接第一台面和与靠近所述基板第一侧表面或所述基板第二侧表面的第二台面，所述第一台面暴露出所述第二半导体层部分表面，所述第二台面暴露出所述第一半导体层部分表面；其中，所述半导体叠层还包括暴露出所述第一半导体部分表面的连接面、第一段侧壁及第二段侧壁，所述第一台面与所述连接面之间具有所述第一段侧壁，所述第二台面和所述连接面之间具有所述第二段侧壁，所述第一段侧壁的长度大于或者等于所述第二段侧壁的长度。

技术领域

本申请涉及半导体相关技术领域，尤其涉及一种半导体激光元件。

背景技术

半导体发光器件，例如发光二极管、半导体激光元件等因其优良的发光特性，越来越多的人关注其研究及市场应用。例如，其中的半导体激光元件，已经取得了广泛研究和市场应用，特别是在激光显示和激光投影方面。

半导体激光元件，特别是垂直激光二极管中，由于GaN材料的晶格结构和掺杂容易引起内部电场；若是GaN材料在曲面形变下，内部较易发生能带偏移和电子结构改变，导致内部电场分布发生变化，从而导致材料的电学和光学性能的变化。在一些现有技术中，通过蚀刻半导体叠层形成第一台面、第二台面以及连接第一台面和第二台面的侧壁，第二台面和该侧壁的连接处为一曲面，该曲面由于GaN内部电场等原因可能会影响半导体激光元件的击穿电压，使得半导体激光元件很容易产生漏电的风险。

发明内容

根据本发明的第一方面，本发明提供了一种半导体发光器件，包括：

基板，具有第一表面，以及位于所述基板两侧的第一侧表面和第二侧表面，所述第一侧表面和所述第二侧表面沿第一方向延伸；

半导体叠层，形成于所述基板第一表面上，包括依次堆叠的第一半导体层、有源层以及第二半导体层，所述第二半导体层表面形成有脊部，所述脊部具有上表面和所述上表面相邻的侧表面，所述脊部沿第一方向延伸；

所述半导体叠层包括与所述脊部侧表面连接第一台面和与靠近所述基板第一侧表面或所述基板第二侧表面的第二台面，所述第一台面暴露出所述第二半导体层部分表面，所述第二台面暴露出所述第一半导体层部分表面；

其中，所述半导体叠层还包括暴露出所述第一半导体部分表面的连接面、第一段侧壁及第二段侧壁，所述第一台面与所述连接面之间具有所述第一段侧壁，所述第二台面和所述连接面之间具有所述第二段侧壁，所述第一段侧壁的长度大于或者等于所述第二段侧壁的长度。

优选地，所述第一段侧壁的长度与所述第二段侧壁的长度之间的比值大于5:1。

优选地，从所述半导体激光元件的剖视图看，所述第一段侧壁与所述连接面之间的夹角为第一角度α1，所述第二段侧壁与所述的第二台面之间的夹角为第二角度α2，所述第一角度α1不同于所述第二角度α2。

优选地，所述第一角度α1大于或者等于所述第二角度α2。

优选地，所述第一角度α1大于或者等于90°，所述第二角度α2大于或者等于80°。

本发明提供了另一种半导体发光器件，包括：

基板，具有第一表面，以及位于所述基板两侧的第一侧表面和第二侧表面，所述第一侧表面和所述第二侧表面沿第一方向延伸；

半导体叠层，形成于所述基板第一表面上，包括依次堆叠的第一半导体层、有源层以及第二半导体层，所述第二半导体层表面形成有脊部，所述脊部具有上表面和所述上表面相邻的侧表面，所述脊部沿第一方向延伸；

所述半导体叠层包括与所述脊部侧表面连接第一台面和与靠近所述基板第一侧表面或所述基板第二侧表面的第二台面，所述第一台面暴露出所述第二半导体层部分表面，所述第二台面暴露出所述第一半导体层部分表面；