[发明专利]具有外露引线框架的封装件及其制作方法在审
申请号: | 202310518419.5 | 申请日: | 2023-05-10 |
公开(公告)号: | CN116246986A | 公开(公告)日: | 2023-06-09 |
发明(设计)人: | 周松;谢旭岩;陶剑 | 申请(专利权)人: | 南京睿芯峰电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L23/495 |
代理公司: | 南京中高专利代理有限公司 32333 | 代理人: | 沈雄 |
地址: | 210000 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 外露 引线 框架 封装 及其 制作方法 | ||
1.一种具有外露引线框架的封装件的制作方法,其特征在于,包括:
获取塑封后的半封装引线框架;其中,所述半封装引线框架的第二侧全部外露且第一侧部分外露;
按照预设切割位置,对所述半封装引线框架的第二侧进行半切割,获取露出侧面引脚的半切割引线框架;
对所述半切割引线框架的所有外露区域的外表面进行镀锡处理,得到镀锡引线框架;
按照所述预设切割位置,对所述镀锡引线框架的第一侧进行半切割,使得所述镀锡引线框架位于所述预设切割位置处被切断,得到目标封装件。
2.根据权利要求1所述的具有外露引线框架的封装件的制作方法,其特征在于,所述获取塑封后的半封装引线框架,包括:
提供待封装元器件和引线框架载体;
按照预设装片参数,将所述待封装元器件贴装于所述引线框架载体的第一侧;
按照预设键合参数,采用键合焊线,将所述待封装元器件的引出端与所述引线框架载体的引出端进行电性连接,形成待塑封引线框架;
按照预设塑封参数,对所述待塑封引线框架进行注塑,形成使得所述引线框架载体的第一侧与所述待封装元器件塑封在一起的塑封体,得到塑封后的所述半封装引线框架;
其中,所述引线框架载体的第二侧外露且第一侧除开所述塑封体的区域外露。
3.根据权利要求2所述的具有外露引线框架的封装件的制作方法,其特征在于,所述预设塑封参数包括注塑厚度、合模压力、注塑压力和注塑时间。
4.根据权利要求3所述的具有外露引线框架的封装件的制作方法,其特征在于,所述合模压力的范围为20~50ton,和/或,所述注塑压力的范围为0.8~1.2ton,和/或,所述注塑时间的范围为7~15s。
5.根据权利要求2所述的具有外露引线框架的封装件的制作方法,其特征在于,所述按照预设切割位置,对所述半封装引线框架的第二侧进行半切割,获取露出侧面引脚的半切割引线框架,包括:
基于所述预设切割位置,预先在所述半封装引线框架上制作切割定位标记;
识别所述切割定位标记,根据所述切割定位标记,生成第一切割路径,并预先设置出第一预设切割参数;
根据所述第一切割路径,按照所述第一预设切割参数,对所述半封装引线框架的第二侧进行半切割,使得所述半封装引脚框架第二侧的所述引线框架载体被切断,且所述半封装引脚框架第一侧的所述塑封体未被切断,得到露出侧面引脚的所述半切割引线框架。
6.根据权利要求5所述的具有外露引线框架的封装件的制作方法,其特征在于,所述按照所述预设切割位置,对所述镀锡引线框架的第一侧进行半切割,使得所述镀锡引线框架位于所述预设切割位置处被切断,得到目标封装件,包括:
根据所述切割定位标记,生成第二切割路径,并预先设置出第二预设切割参数;
根据所述第二切割路径,按照所述第二预设切割参数,对所述镀锡引线框架的第一侧进行半切割,使得位于所述预设切割位置处的所述镀锡引线框架从所述塑封体至所述引线框架载体被切断,得到所述目标封装件。
7.根据权利要求6所述的具有外露引线框架的封装件的制作方法,其特征在于,所述第一预设切割参数和所述第二预设切割参数均包括切割速度和切割深度。
8.根据权利要求1至7任一项所述的具有外露引线框架的封装件的制作方法,其特征在于,所述目标封装件的数量为一个或多个。
9.根据权利要求1至7任一项所述的具有外露引线框架的封装件的制作方法,其特征在于,所述得到目标封装件之后,还包括:
提供所述目标封装件的待焊接电路;
对所述目标封装件进行电性能测试,并将通过电性能测试的所述目标封装件与所述待焊接电路焊接在一起。
10.一种具有外露引线框架的封装件,其特征在于,采用如权利要求1至9任一项所述的制作方法制作而成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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