[发明专利]具有外露引线框架的封装件及其制作方法

说明书

本发明公开了一种具有外露引线框架的封装件及其制作方法，方法包括获取塑封后的半封装引线框架；其中，所述半封装引线框架的第二侧全部外露且第一侧部分外露；按照预设切割位置，对所述半封装引线框架的第二侧进行半切割，获取露出侧面引脚的半切割引线框架；对所述半切割引线框架的所有外露区域的外表面进行镀锡处理，得到镀锡引线框架；按照所述预设切割位置，对所述镀锡引线框架的第一侧进行半切割，使得所述镀锡引线框架位于所述预设切割位置处被切断，得到目标封装件。本发明制作的封装件侧面引脚有锡镀层，可以有效预防器件侧面引脚氧化，焊接后侧面引脚可以充分爬锡，能满足高可靠电子产品的焊接质量要求。

技术领域

本发明涉及集成电路封装技术领域，具体涉及一种具有外露引线框架的封装件及其制作方法。

背景技术

在一些特定封装类型的器件中，例如QFN封装（即Quad Flat No-lead Package，方形扁平无引脚封装）器件和DFN封装（即Double flat No-lead Package，双边扁平无引脚封装，属于QFN封装的延伸封装）器件，其引线框架是外露的，也正因为此，这些器件通过外露的引线框架，能够提供出色的电性能和散热性能，因而被广泛用于集成电路中。

这些具有外露引线框架的器件，在经过封装制作之后，管脚分布在封装体两边（即DFN类型的封装件）或四边（即QFN类型的封装件）且整体外观为矩形。目前这类封装件的制作方法，主要是采用砂轮刀片切割的方式完成，即以引线框架为载体，芯片在背部镀上锡后，采用砂轮刀片按固定的步进切割，得到单颗器件。

然而，在其封装制作过程中，封装后的封装体侧面引脚未进行镀锡处理，器件的侧面引脚没有锡保护而直接暴露在空气中，如果长时间暴露在空气中，特别在湿度较大的环境中，非常容易氧化，氧化所形成的氧化膜会阻碍焊锡与引脚之间的浸润，并且焊锡的成分很难破坏这层氧化膜，这层氧化膜最终会导致侧面引脚无法上锡或爬锡高度不足，无法满足高可靠电子产品的质量要求。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种具有外露引线框架的封装件及其制作方法，以解决现有技术中具有外露引线框架的器件在封装制作过程中，侧面引脚无法上锡或爬锡高度不足而无法满足高可靠性电子产品的质量需求的问题。

本发明提供了一种具有外露引线框架的封装件的制作方法，包括：

获取塑封后的半封装引线框架；其中，所述半封装引线框架的第二侧全部外露且第一侧部分外露；

按照预设切割位置，对所述半封装引线框架的第二侧进行半切割，获取露出侧面引脚的半切割引线框架；

对所述半切割引线框架的所有外露区域的外表面进行镀锡处理，得到镀锡引线框架；

按照所述预设切割位置，对所述镀锡引线框架的第一侧进行半切割，使得所述镀锡引线框架位于所述预设切割位置处被切断，得到目标封装件。

可选地，所述获取塑封后的半封装引线框架，包括：

提供待封装元器件和引线框架载体；

按照预设装片参数，将所述待封装元器件贴装于所述引线框架载体的第一侧；

按照预设键合参数，采用键合焊线，将所述待封装元器件的引出端与所述引线框架载体的引出端进行电性连接，形成待塑封引线框架；

按照预设塑封参数，对所述待塑封引线框架进行注塑，形成使得所述引线框架载体的第一侧与所述待封装元器件塑封在一起的塑封体，得到塑封后的所述半封装引线框架；

其中，所述引线框架载体的第二侧外露且第一侧除开所述塑封体的区域外露。

可选地，所述预设塑封参数包括注塑厚度、合模压力、注塑压力和注塑时间。

可选地，所述合模压力的范围为20~50ton，和/或，所述注塑压力的范围为0.8~1.2ton，和/或，所述注塑时间的范围为7~15s。