[发明专利]一种OLED显示器件的像素定义层结构及其制备方法

权利要求书

1.一种OLED器件像素定义层结构，其特征在于，包括驱动基板，位于驱动基板上的作为OLED器件阳极的像素图形化电极；在所述驱动基板和像素图形化电极上依次形成第一PDL层和第二PDL层、第三PDL层、第四PDL层。

2.根据权利要求1所述的OLED器件像素定义层结构，其特征在于，所述像素图形化电极材料为Ti、AL、Ag、ITO、TiN的一种或多种，其厚度在30~200nm之间。

3.根据权利要求1所述的OLED器件像素定义层结构，其特征在于，所述第一PDL层厚度为200~500nm。

4.根据权利要求1所述的OLED器件像素定义层结构，其特征在于，所述第一PDL层的开口位于图形化电极上，其开口宽度小于电极宽度。

5.根据权利要求2所述的OLED器件像素定义层结构，其特征在于，所述第一PDL层形截面为梯形形状，其底部切角角度在30~50°之间。

6.根据权利要求1所述的OLED器件像素定义层结构，其特征在于，所述第二PDL层材质为无机物，厚度在5~20nm之间；第三PDL层材质为高反射率金属，厚度在10~50nm之间；第四PDL层材质为高透过率无机物，厚度在10~50nm之间。

7.根据权利要求1所述的OLED器件像素定义层结构，其特征在于，所述第二PDL层、第三PDL层、第四PDL层分别具有2个开口，开口1位于第一PDL层开口上，开口2位于子像素之间的沟道区域。

8.根据权利要求4或7所述的OLED器件像素定义层结构，其特征在于，所述第一PDL层开口尺寸小于其所在像素的像素图形化电极尺寸，尺寸差异在500~700nm之间；所述第二PDL层、第三PDL层、第四PDL层具有两个开口，开口1尺寸小于第一PDL层开口尺寸，尺寸差异在100~300nm之间，开口2尺寸在300~500nm之间。

9.根据权利要求6所述的OLED器件像素定义层结构，其特征在于，所述第二PDL层、第三PDL层、第四PDL层在开口位置形成的台阶坡度角在80°~100°之间。

10.一种制备权利要求1-9任一项所述的OLED器件像素定义层结构的方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤S1：通过光刻及刻蚀工艺在驱动基板上形成像素图形化电极；

步骤S2：在像素电极上生长第一PDL层；

步骤S3：通过光刻、刻蚀方法形成图形化的第一PDL层；

步骤S4：在图形化的第一PDL层上依次生长第二PDL层、第三PDL层、第四PDL层；

步骤S5：通过光刻、刻蚀方法形成图形化的第二PDL层、第三PDL层、第四PDL层。