[发明专利]一种OLED显示器件的像素定义层结构及其制备方法

说明书

本发明提供了一种OLED显示器件的像素定义层结构及其制备方法，包括：包括驱动基板，位于驱动基板上的作为OLED器件阳极的像素图形化电极；在所述驱动基板和像素图形化电极上依次形成第一PDL层和第二PDL层、第三PDL层、第四PDL层；第二PDL层、第三PDL层、第四PDL层上存在两个开口，开口1位于第一PDL层开口上，开口2位于子像素之间的沟道区域。实现了阻断OLED器件底部功能层的情况下，保持阴极不断裂，横向电学传输性能完好，从而在不牺牲亮度情况下提升色域；同时实现了将大视角出射光汇聚为正视角出射光，提高正视角光取出率。

技术领域

本发明涉及显示器件设备的技术领域，尤其涉及OLED显示器件的像素定义层结构及其制备方法。

背景技术

有机发光二极管（OLED）是21世纪初起开始兴起的显示技术，具有轻薄、能耗低、显示效果好等优势，目前被广泛应用于手机、平板等领域。

硅基OLED微显示器由于使用单晶硅作为其驱动背板，载流子迁移率高，相比于常规大尺寸OLED显示屏，可以实现非常高的分辨率，在AR、VR领域有着广泛的应用前景。

主流的硅基OLED显示屏的控制方式都为OLED器件阴极正面制备并提供恒定负压，OLED器件阳极独立分布在各个子像素，由驱动电路控制各子像素阳极电压，从而控制各个子像素OLED器件发光。

理想情况下，因为阳极独立分布，各子像素发光应该互不干扰；但为防止阴极断裂，通常情况下PDL（Pixel Define Layer，像素定义层）斜坡角度50°，这导致OLED器件底部功能层也互相连接，如空穴传输层、空穴注入层，这些功能层往往导电性能较好。这导致阳极给电像素的电压横向传导至不给电像素，导致像素电学串扰。

因此在保持OLED器件阴极连接通畅情况下，阻隔OLED器件底部功能层导电十分重要。

除此之外，由于硅基OLED器件主流应用方向为近眼显示领域，在该应用场景几乎无侧视角使用屏幕需求，而OLED器件出光角度在120°左右，导致在硅基OLED显示大视角发光实际为无效发光。

因此，将OLED器件大视角发光修正为正视角出光，提升正视角光取出率，对于提升有效亮度十分重要。

发明内容

本发明提供了一种OLED器件像素定义层结构及其制备方法，相比于传统的PDL层可以实现两个功能：①阻断OLED器件底部功能层的情况下，保持阴极不断裂，横向电学传输性能完好；②将大视角出射光汇聚为正视角出射光，提高正视角光取出率。

为实现上述效果，本发明提供了一种OLED器件像素定义层结构，包括驱动基板，位于驱动基板上的作为OLED器件阳极的像素图形化电极；在所述驱动基板和像素图形化电极上依次形成第一PDL层和第二PDL层、第三PDL层、第四PDL层。

优选的是，本发明的像素图形化电极材料为Ti、AL、Ag、ITO、TiN的一种或多种，其厚度在30~200nm之间。

优选的是，本发明的第一PDL层厚度为200~500nm。

优选的是，本发明的第一PDL层的开口位于图形化电极上，其开口宽度小于电极宽度。

优选的是，本发明的第一PDL层形截面为梯形形状，其底部切角角度在30~50°之间。

优选的是，本发明的第二PDL层材质为无机物，厚度在5~20nm之间；第三PDL层材质为高反射率金属，厚度在10~50nm之间；第四PDL层材质为高透过率无机物，厚度在10~50nm之间。

优选的是，本发明的第二PDL层、第三PDL层、第四PDL层分别具有2个开口，开口1位于第一PDL层开口上，开口2位于子像素之间的沟道区域。