[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

金属集电极，具有第一区域以及位于所述第一区域一侧的第二区域；

P型集电部和N型漏区部，同层设置于所述金属集电极上，所述P型集电部位于所述第一区域，所述N型漏区部位于所述第二区域；

N型缓冲层，设置于所述P型集电部以及所述N型漏区部上；

N型漂移部和超结N型漂移部，同层设置于所述N型缓冲层上，且所述N型漂移部位于所述第一区域，所述超结N型漂移部位于所述第二区域；

第一P型保护部、第一P型部以及第一N型发射部，设置于所述N型漂移部中；

超结P型柱部、第二P型保护部以及第二N型发射部，设置于所述超结N型漂移部中；

第一栅极结构和第一发射电极，位于所述第一区域；

第二栅极结构和第二发射电极，位于所述第二区域；以及

隔离部、P型阻挡部和N型截止部，所述P型阻挡部以及所述N型截止部设置于所述第一P型保护部与第二P型保护部之间，所述隔离部设置于所述N型缓冲层中且与所述P型阻挡部接触设置，所述N型截止部位于所述P型阻挡部远离所述隔离部的一侧。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述N型截止部与所述P型阻挡部接触设置。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，自所述N型漂移部朝向所述金属集电极的方向上，所述P型阻挡部以及所述隔离部在所述金属集电极上的投影位于所述N型截止部在所述金属集电极上的投影内。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，自所述N型漂移部朝向所述金属集电极的方向上，所述P型阻挡部在所述金属集电极上的投影的边缘与所述隔离部在所述金属集电极上的投影的边缘接触设置。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述N型截止部与所述P型阻挡部间隔设置。

6.根据权利要求1-5任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述隔离部还设置于所述P型集电部以及所述N型漏区部，且与所述金属集电极接触设置。

7.根据权利要求1-5任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述第二P型保护部位于所述超结P型柱部远离所述金属集电极的一侧，且位于所述第二N型发射部靠近所述N型漂移部的一侧，所述第一P型保护部位于所述第一P型部以及所述第一N型发射部靠近超结N型漂移部的一侧，所述超结P型柱部的高度与所述P型阻挡部的高度相同。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，所述第一栅极结构位于所述N型漂移部中，所述第一P型部以及所述第一N型发射部均与所述第一栅极结构接触设置，所述第一发射电极设置于所述第一栅极结构远离所述金属集电极的一侧。

9.根据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，所述第二栅极结构设置于所述超结N型漂移部中，所述第二P型保护部设置于所述第二栅极结构靠近所述N型漂移部的一侧，所述第二N型发射部与所述第二栅极结构接触设置，所述第二发射电极设置于所述第二栅极结构远离所述金属集电极的一侧。

10.根据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，所述第一栅极结构位于所述N型漂移部远离所述金属集电极的一侧，所述第一发射电极覆盖所述第一栅极结构；所述第二栅极结构位于所述超结N型漂移部远离所述金属集电极的一侧，所述第二发射电极覆盖所述第二栅极结构。