[发明专利]一种用于半导体芯片封装的顶针装置

说明书

本发明涉及半导体芯片技术领域，且公开了一种用于半导体芯片封装的顶针装置，包括顶针座，所述顶针座的内部下端设置有定位机构，所述顶针座的内部四周均固定连接有定位块，四个所述定位块的上部设置有同一个安装机构，所述安装机构上设置有多个顶针本体，所述顶针座的上部设置有盖板，且所述盖板上开设有多个插口，所述顶针的顶端贯穿出插口，所述盖板的上部设置有保护框，所述定位机构包括转动杆、两个螺纹套、多个L形插杆，所述转动杆转动连接在顶针座的内部下端；本发明在使用时，便于根据芯片的尺寸安装合适数量的顶针本体，则便于对不同尺寸的芯片进行顶起，且大大提高了对顶针本体的保护性。

技术领域

本发明涉及半导体芯片技术领域，具体为一种用于半导体芯片封装的顶针装置。

背景技术

自然界的物质、材料按导电能力大小可分为导体、半导体和绝缘体三大类。半导体的电阻率在1mΩ·cm～1GΩ·cm范围(上限按谢嘉奎《电子线路》取值，还有取其1/10或10倍的；因角标不可用，暂用当前描述)。在一般情况下，半导体电导率随温度的升高而降低。半导体材料凡具有上述两种特征的材料都可归入半导体材料的范围。反映半导体内在基本性质的却是各种外界因素如光、热、磁、电等作用于半导体而引起的物理效应和现象，这些可统称为半导体材料的半导体性质。构成固态电子器件的基体材料绝大多数是半导体，正是这些半导体材料的各种半导体性质赋予各种不同类型半导体器件以不同的功能和特性。半导体的基本化学特征在于原子间存在饱和的共价键。作为共价键特征的典型是在晶格结构上表现为四面体结构,所以典型的半导体材料具有金刚石或闪锌矿(ZnS)的结构。由于地球的矿藏多半是化合物，所以最早得到利用的半导体材料都是化合物,例如方铅矿(PbS)很早就用于无线电检波，氧化亚铜(Cu2O)用作固体整流器，闪锌矿(ZnS)是熟知的固体发光材料，碳化硅(SiC)的整流检波作用也较早被利用。硒(Se)是最早发现并被利用的元素半导体，曾是固体整流器和光电池的重要材料。元素半导体锗(Ge)放大作用的发现开辟了半导体历史新的一页，从此电子设备开始实现晶体管化。中国的半导体研究和生产是从1957年首次制备出高纯度(99.999999％～99.9999999％)的锗开始的。采用元素半导体硅(Si)以后，不仅使晶体管的类型和品种增加、性能提高，而且迎来了大规模和超大规模集成电路的时代。以砷化镓(GaAs)为代表的Ⅲ－Ⅴ族化合物的发现促进了微波器件和光电器件的迅速发展；

电路制造在半导体芯片表面上的集成电路又称薄膜(thin-film)集成电路。另有一种厚膜(thick-film)集成电路(hybrid integrated circuit)是由独立半导体设备和被动组件，集成到衬底或线路板所构成的小型化电路；

在封装半导体芯片时，将半导体芯片从半导体芯片固定机构转移到其他治具时，位于半导体芯片固定机构下方采用顶针装置，通过顶针装置上设有的顶针会从顶针帽的孔中顶出，从而可将半导体芯片固定机构与芯片相接触的相关部位往上顶，最终将芯片顶起。

但是现在的顶针在使用的过程中，由于每个芯片的尺寸不同，则也需要使得顶针与该尺寸的芯片相匹配，而顶针是固定在顶针座上的，所以一般是将整个顶针座进行更换，这样不但造成了浪费，而且顶针座的更换过程较为的繁琐。因此，本领域技术人员提供了一种用于半导体芯片封装的顶针装置，以解决上述背景技术中提出的问题。

发明内容

为了解决针对不同尺寸的芯片需要更换不同的顶针座较为麻烦的问题，本发明提供一种用于半导体芯片封装的顶针装置。

本发明提供的一种用于半导体芯片封装的顶针装置采用如下的技术方案：一种用于半导体芯片封装的顶针装置，包括顶针座，所述顶针座的内部下端设置有定位机构，所述顶针座的内部四周均固定连接有定位块，四个所述定位块的上部设置有同一个安装机构，所述安装机构上设置有多个顶针本体，所述顶针座的上部设置有盖板，且所述盖板上开设有多个插口，所述顶针的顶端贯穿出插口，所述盖板的上部设置有保护框。