[发明专利]一种全彩化Micro-LED的制备方法

权利要求书

1.一种全彩化Micro-LED的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

步骤一，提供一衬底，在所述衬底上依次生长绿光外延层、第一键合层、蓝光外延层、第二键合层及红光外延层，得到第一半成品芯片；

步骤二，在所述第一半成品芯片上刻蚀出第一电极孔、第二电极孔以及第三电极孔，得到第二半成品芯片，所述第一电极孔依次贯通所述红光外延层、所述第二键合层、所述蓝光外延层以及所述第一键合层并设置在所述绿光外延层上，所述第二电极孔依次贯通所述红光外延层、所述第二键合层、所述蓝光外延层并设置在所述第一键合层上，所述第三电极孔贯通所述红光外延层并设置在所述第二键合层上；

步骤三，在所述第二半成品芯片的表面上沉积第一导电金属，以在所述第二半成品芯片上生成导电层，并在所述导电层上沉积绝缘保护层，得到第三半成品芯片；

步骤四，刻蚀所述第三半成品芯片上的所述绝缘保护层，以漏出所述导电层，得到第四半成品芯片；

步骤五，在所述第四半成品芯片上沉积与所述第一电极孔、所述第二电极孔、所述第三电极孔对应的第二导电金属，以在所述第五半成品芯片上得到第一电极、第二电极、第三电极以及第四电极，得到成品Micro-LED芯片。

2.根据权利要求1所述的全彩化Micro-LED的制备方法，其特征在于，所述第一电极、所述第二电极、所述第三电极以及所述第四电极的电位差满足；

U₂₀₂≥U₂₀₁，U₂₀₂≥_U203，U₂₀₄≥U₂₀₃；

其中，U₂₀₁表示所述第一电极的电位差，U₂₀₂表示所述第二电极的电位差，U₂₀₃表示所述第三电极的电位差，U₂₀₄表示所述第四电极的电位差。

3.根据权利要求1所述的全彩化Micro-LED的制备方法，其特征在于，所述绿光外延层包括绿光外延P型掺杂层、绿光外延多量子阱层以及绿光外延N型掺杂层，所述蓝光外延层包括蓝光外延N型掺杂层、蓝光外延多量子阱层以及蓝光外延P型掺杂层，所述红光外延层包括红光外延N型掺杂层、红光外延多量子阱层以及红光外延P型掺杂层。

4.根据权利要求3所述的全彩化Micro-LED的制备方法，其特征在于，在所述步骤一中，在所述绿光外延P型掺杂层、所述蓝光外延P型掺杂层以及所述红光P型掺杂层的表面均沉积一层透明导电层，并在所述透明导电层上沉积一层氧化硅层。

5.根据权利要求4所述的全彩化Micro-LED的制备方法，其特征在于，所述透明导电层为氧化铟锡、氧化锌铝、氧化锌掺钇中的一种制成，所述透明导电层的厚度为采用化学气相沉积或原子层沉积的方式在所述透明导电层上沉积一层氧化硅层，所述氧化硅层的厚度为

6.根据权利要求1所述的全彩化Micro-LED的制备方法，其特征在于，在所述步骤二中，通过采用电感耦合等离子体干法刻蚀的方式在所述第一半成品芯片上刻蚀出所述第一电极孔、所述第二电极孔以及所述第三电极孔。

7.根据权利要求1所述的全彩化Micro-LED的制备方法，其特征在于，在所述步骤三中，清洗所述第二半成品芯片，并在清洗完成后的所述第二半成品芯片上均匀涂覆负性光刻胶，接着再沉积所述第一导电金属，所述第一导电金属沉积完成后采用剥离工艺进行除胶，以得到所述导电层，通过使用原子层沉积或化学气相沉积的方式在所述导电层上沉积所述绝缘保护层，所述绝缘保护层采用氧化硅、氧化铝、氮化硅中的一种制成。

8.根据权利要求1所述的全彩化Micro-LED的制备方法，其特征在于，在所述步骤四中，通过干法刻蚀的方式刻蚀所述绝缘保护层。