[发明专利]一种全彩化Micro-LED的制备方法

说明书

本发明提供一种全彩化Micro‑LED的制备方法，通过在第一半成品芯片上刻蚀出第一电极孔、第二电极孔以及第三电极孔，并在第二半成品芯片上沉积第一导电金属，也就是导电层，接着在导电层上沉积绝缘保护层，并在第四半成品芯片开孔漏出导电层，然后沉积第二导电金属，也就是在第四半成品芯片上制备分别与第一电极孔、第二电极孔以及第三电极孔对应的第一电极、第二电极、第三电极，第四电极设于红光外延层表面，通过如此设置，能够有效降低绿光外延层、蓝光外延层以及红光外延层的欧姆接触，变相减少了对发光面积的遮挡，有效提高芯片亮度。

技术领域

本发明涉及LED芯片技术领域，特别涉及一种全彩化Micro-LED的制备方法。

背景技术

Micro-LED又称微型发光二极管，是指高密度集成的LED阵列，阵列中的LED像素点距离在10微米量级，每一个LED像素都能自发光。Micro-LED技术，即LED微缩化和矩阵化技术。指的是在一个芯片上集成的高密度微小尺寸的LED阵列，如LED显示屏每一个像素可定址、单独驱动点亮，可看成是户外LED显示屏的微缩版，将像素点距离从毫米级降低至微米级。该技术将传统的无机LED阵列微小化，每个尺寸在10微米尺寸的LED像素点均可以被独立的定位、点亮。也就是说，原本小间距LED的尺寸可进一步缩小至10微米量级。Micro-LED的显示方式十分直接，将10微米尺度的LED芯片连接到TFT驱动基板上，从而实现对每个芯片放光亮度的精确控制，进而实现图像显示。

现有技术当中，Micro-LED直显常采用RGB平面排列的方式，也有少量采用RGB堆叠的方案作为全彩的直显方式，两种实现全彩的方案虽不一样，但基本都是采用共阴极(共阳极)控制三个不同的阳极(阴极)来控制RGB三色的发光强度实现全彩化的方案，RGB平面排列电路在芯片下方，对出光影响不大，而在堆叠芯片的方案中，从上到下每种发光层都需要两个电极控制，此基础上会有大量的发光面积被用于金属电路互联导致发光面积减少，发光强度降低。

发明内容

基于此，本发明的目的是提供一种全彩化Micro-LED的制备方法，以至少解决上述现有技术当中的不足。

本发明提供一种全彩化Micro-LED的制备方法，所述制备方法包括：

步骤一，提供一衬底，在所述衬底上依次生长绿光外延层、第一键合层、蓝光外延层、第二键合层及红光外延层，得到第一半成品芯片；

步骤二，在所述第一半成品芯片上刻蚀出第一电极孔、第二电极孔以及第三电极孔，得到第二半成品芯片，所述第一电极孔依次贯通所述红光外延层、所述第二键合层、所述蓝光外延层以及所述第一键合层并设置在所述绿光外延层上，所述第二电极孔依次贯通所述红光外延层、所述第二键合层、所述蓝光外延层并设置在所述第一键合层上，所述第三电极孔贯通所述红光外延层并设置在所述第二键合层上；

步骤三，在所述第二半成品芯片的表面上沉积第一导电金属，以在所述第二半成品芯片上生成导电层，并在所述导电层上沉积绝缘保护层，得到第三半成品芯片；

步骤四，刻蚀所述第三半成品芯片上的所述绝缘保护层，以漏出所述导电层，得到第四半成品芯片；

步骤五，在所述第四半成品芯片上沉积与所述第一电极孔、所述第二电极孔、所述第三电极孔对应的第二导电金属，以在所述第四半成品芯片上得到第一电极、第二电极、第三电极以及第四电极，得到成品Micro-LED芯片。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：通过在第一半成品芯片上刻蚀出第一电极孔、第二电极孔以及第三电极孔，并在第二半成品芯片上沉积第一导电金属，也就是导电层，接着在导电层上沉积绝缘保护层，并在第四半成品芯片开孔漏出导电层，然后沉积第二导电金属，也就是在第四半成品芯片上制备分别与第一电极孔、第二电极孔以及第三电极孔对应的第一电极、第二电极、第三电极，第四电极设于红光外延层表面，通过如此设置，能够有效降低绿光外延层、蓝光外延层以及红光外延层的欧姆接触，变相减少了对发光面积的遮挡，有效提高芯片亮度。