[发明专利]一种引线框架卷式蚀刻工艺有效
申请号: | 202310543129.6 | 申请日: | 2023-05-15 |
公开(公告)号: | CN116525497B | 公开(公告)日: | 2023-09-29 |
发明(设计)人: | 康小明;康亮;张博 | 申请(专利权)人: | 天水华洋电子科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京金宏来专利代理事务所(特殊普通合伙) 11641 | 代理人: | 陆华 |
地址: | 741020 甘肃省天水*** | 国省代码: | 甘肃;62 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 引线 框架 蚀刻 工艺 | ||
1.一种引线框架卷式蚀刻工艺,其特征在于,该引线框架蚀刻工艺包括以下步骤:
步骤一:选材,选取铜材基板,进行水洗除尘的表面清洗;
步骤二:涂布,将油膜涂布或者压膜在铜材质上面;
步骤三:曝光,通过光聚合反应将菲林上面需要蚀刻的引线框架转移到基材上;
步骤四:显影,显影后进入蚀刻机进行蚀刻;
步骤五:通过蚀刻机用蚀刻液对铜材进行腐蚀,有感光油膜或者干膜的保护,将引线框架线路、图形进行腐蚀成型;
步骤六:脱膜,通过脱膜装置脱去铜材上的感光膜;
其中步骤六中所述脱膜装置包括机壳(1),所述机壳(1)内底端对称固定连接有第一内壳(2)和第二内壳(3),所述机壳(1)左端设置有引线框架(4),所述引线框架(4)右端从所述机壳(1)左端穿入后依次穿过所述第一内壳(2)和所述第二内壳(3),所述引线框架(4)右端从机壳(1)右侧穿出,所述机壳(1)两端设置有用于限位所述引线框架(4)位置的定位机构;
所述第一内壳(2)顶端设置有用于喷射强碱溶液的第一喷射器,所述第二内壳(3)顶端设置有用于喷射清洗液的第二喷射器,所述第一内壳(2)内壁在所述第一喷射器的右侧阵列固定连接有两个基座(5),所述基座(5)两端分别与所述第一内壳(2)两侧固定连接,所述基座(5)顶端固定连接有壳体(6),所述壳体(6)左侧顶端具有弧形安装槽(8),所述弧形安装槽(8)内转动连接有化学吸液棉辊(9),所述化学吸液棉辊(9)与所述引线框架(4)顶端接触,所述化学吸液棉辊(9)内固定连接有转动轴(10),所述转动轴(10)端部贯穿所述第一内壳(2)和所述机壳(1)并与所述第一内壳(2)和所述机壳(1)转动连接,两个所述转动轴(10)端部共同设置有用于驱动所述转动轴(10)转动的第一驱动机构,所述壳体(6)左侧底端阵列固定连通有多个吸头(11),所述壳体(6)右侧顶端阵列固定连通有多个喷头(12),所述壳体(6)右侧顶端对称固定连通有L形喷射管(13),所述L形喷射管(13)顶端喷口与所述引线框架(4)顶面平齐,所述吸头(11)的端部固定安装有第一单向阀(1101),所述喷头(12)、所述L形喷射管(13)端部、所述弧形安装槽(8)的内壁底端均固定连通有第二单向阀(14),两个所述壳体(6)内壁均滑动连接有活塞板(15),两个所述活塞板(15)侧壁共同设置有用于推动所述活塞板(15)沿壳体(6)内滑动的第二驱动机构,所述第一内壳(2)右端底部设置有第一排料机构,所述第二内壳(3)侧壁设置有第二排料机构。
2.根据权利要求1所述的一种引线框架卷式蚀刻工艺,其特征在于,所述引线框架(4)的右端依次穿过所述机壳(1)左端和所述第一内壳(2)左端并从所述第一内壳(2)右端顶部穿出,所述引线框架(4)右端从所述第二内壳(3)左侧顶端穿入随后沿水平延伸至所述第二内壳(3)右侧并从所述第二内壳(3)右侧顶端穿出,所述引线框架(4)右端穿过所述机壳(1)右侧壁,所述机壳(1)的内侧壁、所述第一内壳(2)的内侧壁和所述第二内壳(3)的内侧壁在所述引线框架(4)转折处分别转动连接有限位辊(16),所述限位辊(16)表面与所述引线框架(4)底端接触,所述第二内壳(3)两侧固定连接有超声波振板(17)。
3.根据权利要求1所述的一种引线框架卷式蚀刻工艺,其特征在于,第一驱动机构包括电机(18),所述电机(18)固定连接在所述机壳(1)外壁上,所述电机(18)的输出轴端部与对应位置上所述转动轴(10)固定连接,两个所述所述转动轴(10)表面同步轮共同传动连接有同步带(19)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造