[发明专利]一种引线框架卷式蚀刻工艺

说明书

本发明涉及引线框架蚀刻领域，尤其涉及一种引线框架卷式蚀刻工艺，该引线框架蚀刻工艺包括以下步骤：步骤一：选材，选取铜材基板，进行水洗除尘的表面清洗；步骤二：涂布，将油膜涂布或者压膜在铜材质上面；本发明通过设置基座、壳体、喷头、吸头、L形喷射管、化学吸液棉辊和活塞板，使得强碱溶液与引线框架顶面反应后，残留的强碱溶液能够会收集并重新与引线框架顶面和底面接触反应，提高了强碱溶液的利用率，同时引线框架的双面都能与强碱溶液接触，提高了对引线框架的清理效果，并且在喷头和L形喷射管的作用下，能够将膨松状态下的感光胶去除，有利于强碱溶液与更深层的感光胶接触，从而有利于提高对引线框架的清理能力。

技术领域

本发明涉及引线框架蚀刻领域，尤其涉及一种引线框架卷式蚀刻工艺。

背景技术

引线框架是半导体封装的基础材料，是集成电路的芯片载体，是电子信息产业中重要的基础材料。芯片的引线框架起着稳固芯片、电路连接、散热等作用。随着集成电路向小型化、薄型化、轻量化和多功能化发展，高强高导型引线框架材料逐步成为市场主流，按照生产工艺分类，可将引线框架分为冲压和蚀刻引线框架，其中蚀刻工艺产品具备精度高的优势，蚀刻工艺又分为卷式蚀刻和片式蚀刻，卷式蚀刻工艺流程具体为卷料准备、清洁、贴膜、曝光、显影、蚀刻、脱膜、成品。

在引线框架蚀刻结束后要进行脱膜，通过在引线框架表面喷射强碱溶液与引线框架表面的感光胶层进行反应，由于感光胶层为酸性，会和强碱溶液发生中和反应，使得感光胶层变的膨松，反应结束后将引线框架经过清洗液中，通过超声波将膨松的感光胶层从引线框架表面去除；

然而在强碱溶液通过喷射的方式接触到引线框架表面的感光胶表面的过程中，由于引线框架一直在运输，导致强碱溶液容易从引线框架表面流走，从而造成强碱溶液没有和感光胶发生进行充分反应，一方面容易导致强碱溶液利用率低下，造成浪费，另一方面，不利于喷射的强碱溶液与感光胶层进行充分反应，进而导致对感光胶层膨松不彻底。

为此，本发明提供了一种引线框架卷式蚀刻工艺，以解决上述问题。

发明内容

本发明提出的一种引线框架卷式蚀刻工艺，目的是为了解决现有技术中在强碱溶液通过喷射的方式接触到引线框架表面的感光胶表面的过程中，由于引线框架一直在运输，导致强碱溶液容易从引线框架表面流走，从而造成强碱溶液没有和感光胶发生进行充分反应，一方面容易导致强碱溶液利用率低下，造成浪费，另一方面，不利于喷射的强碱溶液与感光胶层进行充分反应，进而导致对感光胶层膨松不彻底的问题。

为达到以上目的，本发明采用的技术方案为：一种引线框架卷式蚀刻工艺，该引线框架蚀刻工艺包括以下步骤：

步骤一：选材，选取铜材基板，进行水洗除尘的表面清洗；

步骤二：涂布，将油膜涂布或者压膜在铜材质上面；

步骤三：曝光，通过光聚合反应将菲林上面需要蚀刻的引线框架转移到基材上；

步骤四：显影，显影后进入蚀刻机进行蚀刻；

步骤五：通过蚀刻机用蚀刻液对铜材进行腐蚀，有感光油膜或者干膜的保护，将引线框架线路、图形进行腐蚀成型；

步骤六：脱膜，通过脱膜装置脱去铜材上的感光膜；