[发明专利]一种双端口SRAM读写性能的测试方法、装置及计算机设备

权利要求书

1.一种双端口SRAM读写性能的测试方法，其特征在于，包括：

对待测的双端口SRAM执行全盘写操作；

在双端口SRAM满盘的状态下强制对指定的block执行GC操作，所述GC操作包括读数据、重写或擦除数据；

在使得指定的block执行GC操作的过程中，随机指定第一端口执行下电操作，并使得第二端口处于上电状态；

在预设时间后对所述第一端口上电，并对所述第一端口读写范围内的block进行数据校验。

2.根据权利要求1所述的一种双端口SRAM读写性能的测试方法，其特征在于，还包括在对待测的双端口SRAM执行全盘写操作的过程中，

采用fio命令确定所述双端口的写入范围，并分别由所述双端口写入不同的pattern数据。

3.根据权利要求2所述的一种双端口SRAM读写性能的测试方法，其特征在于，所述在双端口SRAM满盘的状态下强制对指定的block执行GC操作，包括：

使用私有命令开启串口，实时监控所述双端口SRAM满盘的行为；

通过所述串口获取所述SRAM的满盘容量，随机选择block并基于所述block的逻辑信息获取对应的物理信息；

从预设的GC事件列表中顺序选择或随机选择一个事件，并基于所述物理信息强制对指定的block执行所述事件；

其中，所述GC事件列表包括读数据、重写或擦除数据。

4.根据权利要求1所述的一种双端口SRAM读写性能的测试方法，其特征在于，所述在使得指定的block执行GC操作的过程中，随机指定第一端口执行下电操作，并使得第二端口处于上电状态，还包括：

使得所述第二端口随机下电指定时间。

5.根据权利要求4所述的一种双端口SRAM读写性能的测试方法，其特征在于，所述方法还包括：

在预设时间后对所述第二端口上电，并对所述第二端口读写范围内的block进行数据校验。

6.根据权利要求1-5任意一项所述的一种双端口SRAM读写性能的测试方法，其特征在于，所述方法还包括：

获取所述SRAM的满盘容量，遍历全盘block的逻辑地址并获取对应的pba地址；

基于全盘的物理地址强制所述全盘block进行全盘数据搬移；

在全盘数据搬移过程中随指定第一端口执行下电操作，并使得第二端口处于上电状态；

通过所述第二端口进行全盘的数据校验；

在预设时间后对所述第一端口上电，并通过所述第一端口进行全盘数据校验。

7.根据权利要求1-5任意一项所述的一种双端口SRAM读写性能的测试方法，其特征在于，所述方法还包括：

使得所述第一端口和所述第二端口同时执行下电操作；

其中，所述使得所述第一端口和所述第二端口同时执行下电操作，包括同时向所述第一端口和所述第二端口发送下电指令；或者从对应插槽中拔出所述双端口SRAM以断开所述双端口SRAM的供电连接。

8.根据权利要求7所述的一种双端口SRAM读写性能的测试方法，其特征在于，所述方法还包括：

向所述第一端口和/或所述第二端口发送上电指令；或者

将所述双端口SRAM插入对应插槽以恢复所述双端口SRAM的供电连接；

通过所述第一端口和/或所述第二端口进行全盘数据校验。

9.一种双端口SRAM读写性能的测试装置，其特征在于，包括：

准备模块，配置用于对待测的双端口SRAM执行全盘写操作；

执行模块，配置用于在双端口SRAM满盘的状态下强制对指定的block执行GC操作，所述GC操作包括读数据、重写或擦除数据；

下电模块，配置用于在使得指定的block执行GC操作的过程中，随机指定第一端口执行下电操作，并使得第二端口处于上电状态；

校验模块，配置用于在预设时间后对所述第一端口上电，并对所述第一端口读写范围内的block进行数据校验。

10.一种计算机设备，其特征在于，包括：

至少一个处理器；以及

存储器，所述存储器中存储有可执行的计算机程序，所述计算机程序被所述至少一个处理器执行时用于实现如权利要求1-8任意一项所述的一种双端口SRAM读写性能的测试方法的步骤。