[发明专利]半导体结构及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

基底，具有电容容置槽；

多个半导体导电柱，位于所述电容容置槽内，且所述半导体导电柱沿第一方向延伸并悬挂于所述电容容置槽的第一方向上的两个侧壁之间；

第一电容电极，包括第一电极部以及第二电极部，所述第一电极部位于所述半导体导电柱表面，所述第二电极部位于所述电容容置槽的第二方向上的侧壁表面和/或所述电容容置槽底面，所述第二方向与所述第一方向相交；

电容介质层，位于所述第一电容电极表面；

第二电容电极，位于所述电容介质层表面，且填充所述电容容置槽；

电极互连结构，连接所述第二电容电极与所述第二电极部，且与所述第一电极部绝缘隔离设置。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二电极部至少位于所述电容容置槽底面，且位于所述电容容置槽底面的所述第二电极部作为底面电极部；

所述电极互连结构包括第一互连结构，所述第一互连结构连接所述第二电容电极与所述底面电极部。

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第一互连结构由所述第二电容电极顶部依次贯穿所述第二电容电极与所述电容介质层。

4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述第一互连结构底部接触所述底面电极部。

5.根据权利要求3或4所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括多个所述第一互连结构，所述第一互连结构沿着所述第一方向和/或所述第二方向间隔排布。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二电极部至少位于所述电容容置槽的所述第二方向上的侧壁表面，且位于所述电容容置槽的第二方向上的侧壁表面的第二电极部作为侧面电极部；

所述电极互连结构包括第二互连结构，所述第二互连结构连接所述第二电容电极与所述侧面电极部。

7.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述第二电极部包括两个侧面电极部，至少一个所述侧面电极部的侧面与所述第二电容电极之间，设有沿第一方向排布的多个第二互连结构。

8.根据权利要求6或7所述的半导体结构，其特征在于，所述第二电极部位于所述电容容置槽的所述第二方向上的侧壁表面以及所述电容容置槽底面，所述第二互连结构由所述第二电容电极顶部依次贯穿所述第二电容电极与所述电容介质层。

9.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，

所述位于所述电容容置槽底面的所述第二电极部作为底面电极部；

所述第二互连结构底部接触所述底面电极部。

10.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底具有电容容置槽，所述电容容置槽内具有多个半导体导电柱，所述半导体导电柱沿第一方向延伸并悬挂于所述电容容置槽的所述第一方向上的两个侧壁之间；

于所述半导体导电柱表面形成第一电极部，且于所述电容容置槽的第二方向上的侧壁表面和/或所述电容容置槽底面形成第二电极部，所述第一电极部与所述第二电极部构成第一电容电极，所述第二方向与所述第一方向相交；

于所述第一电容电极表面形成电容介质层，且于所述电容介质层表面形成填充所述电容容置槽的第二电容电极；

于所述第二电容电极与所述第二电极部之间形成电极互连结构，所述电极互连结构与所述第一电极部绝缘隔离设置。