[发明专利]晶圆基板电源完整性的优化方法、晶圆基板及晶上系统有效
申请号: | 202310557253.8 | 申请日: | 2023-05-17 |
公开(公告)号: | CN116314183B | 公开(公告)日: | 2023-08-29 |
发明(设计)人: | 霍婷婷;万智泉;张坤;邓庆文;李顺斌;张汝云;刘勤让 | 申请(专利权)人: | 之江实验室 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L23/50 |
代理公司: | 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 | 代理人: | 董晓盈 |
地址: | 311121 浙江省杭*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶圆基板 电源 完整性 优化 方法 系统 | ||
1.一种晶圆基板电源完整性的优化方法,其特征在于:所述晶圆基板包括多个单元结构,每个所述单元结构包括多层金属层,所述多层金属层包括位于顶层的微凸点阵列、位于底层的微焊盘阵列、以及位于所述顶层与所述底层之间的一层或多层中间层,所述微凸点阵列通过所述一层或多层中间层与所述微焊盘阵列按照预定关系对应连接以形成所述晶圆基板的多个分立的网络,所述多个分立的网络至少包括电源网络、地网络、信号网络及功能配置网络,所述电源网络包括位于所述多层金属层的其中一层或多层上的电源平面,所述优化方法包括:
对所述晶圆基板进行电源完整性检查;
当某层的电源平面存在被其他网络隔开的分离的电源网络区域而不满足所述电源完整性检查中的电压降要求时,则在所述多层金属层中寻找可布线的空余空间,其中,在所述多层金属层中寻找可布线的空余空间包括:在与待优化的所述电源平面所在层的不同层中寻找可布线的空余空间;以及
在所述可布线的空余空间内对待优化的所述电源平面进行跨层加密布局以将所述分离的电源网络区域连接成整体。
2.如权利要求1所述的优化方法,其特征在于:在与待优化的所述电源平面所在层的不同层中寻找可布线的空余空间包括:
在与待优化的所述电源平面所在层的相邻上层或相邻下层中来寻找可布线的空余空间。
3.如权利要求1所述的优化方法,其特征在于:在所述可布线的空余空间内对待优化的所述电源平面进行加密布局包括:
在所述可布线的空余空间内布置额外的密集金属走线;及
通过过孔层将待优化的所述电源平面连接到所述密集金属走线。
4.如权利要求3所述的优化方法,其特征在于:所述密集金属走线包括网格状金属走线。
5.如权利要求1所述的优化方法,其特征在于:在所述多层金属层中的相邻金属层之间通过过孔层连接。
6.如权利要求5所述的优化方法,其特征在于:所述过孔层包括独立的过孔或过孔阵列。
7.如权利要求1所述的优化方法,其特征在于:在所述多层金属层中,所述中间层通过硅通孔层连接到底层的所述微焊盘阵列。
8.如权利要求1所述的优化方法,其特征在于:所述电源网络包括多电压域电源网络。
9.如权利要求1所述的优化方法,其特征在于:所述多层金属层中至少包括信号层和接地层,在所述信号层的相邻上层和相邻下层中的至少一层包括所述接地层。
10.一种晶圆基板,其特征在于,所述晶圆基板通过如权利要求1至9中任一项所述的晶圆基板电源完整性的优化方法所形成,所述晶圆基板包括多个单元结构,每个所述单元结构包括多层金属层,所述多层金属层包括位于顶层的微凸点阵列、位于底层的微焊盘阵列、以及位于所述顶层与所述底层之间的一层或多层中间层,所述微凸点阵列通过所述一层或多层中间层与所述微焊盘阵列按照预定关系对应连接以形成所述晶圆基板的多个分立的网络,所述多个分立的网络至少包括各电压域电源网络、地网络、信号网络及功能配置网络,所述各电压域电源网络中的至少一个电压域电源网络包括位于一金属层上的电源平面,所述电源平面具有被其他网络隔开的至少两块区域,所述至少一个电压域电源网络还包括布置在与所述电源平面所在层的不同层上的密集金属走线,所述密集金属走线通过过孔层将隔开的所述至少两块区域连接成整体。
11.如权利要求10所述的晶圆基板,其特征在于:所述密集金属走线位于所述电源平面所在层的相邻上层或相邻下层。
12.如权利要求10所述的晶圆基板,其特征在于:所述密集金属走线包括网格状金属走线。
13.如权利要求10所述的晶圆基板,其特征在于:在所述多层金属层中的相邻金属层之间通过过孔层连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的