[发明专利]一种红光灯珠的制作方法

说明书

本发明公开了一种红光灯珠的制作方法，其包括如下步骤：将所述蓝光芯片贴装在发光区上；在所述发光区中覆盖一层透明胶层，使所述透明胶层平整且包覆所述蓝光芯片；将半成品在80℃下固化，固化时间为30min；在所述发光区中覆盖一层荧光胶层，使所述荧光胶层平整且覆盖在所述透明胶层的上方；将所述荧光胶层进行离心沉淀处理，使所述荧光胶层的荧光粉在所述透明胶层的外表面形成沉降层，且所述沉降层的上方形成硅胶透明层；将经上述步骤处理后获得的产品进行烘烤，完成封装。本发明能够切实地解决现有技术对于红光灯珠亮度较低、色纯度较低的问题。

技术领域

本发明属于LED技术领域，具体涉及一种红光灯珠的制作方法。

背景技术

现有技术的红光灯珠在制作时，一般为在支架上贴装蓝光芯片，并在蓝光芯片上点涂一层荧光胶层，荧光胶层需充满支架。其中，荧光胶由胶水与包含在胶水内的荧光粉组成，荧光粉通常为氮化物，同时胶水能够实现对蓝光芯片的封装。在使用时，蓝光芯片搭配荧光胶激发出色光。但是这种结构形式存在以下缺点：(1)、荧光粉在胶水中混合不均匀且过于分散的情况，进而容易造成激发出的色光的亮度和色纯度低的缺点，使用效果不佳；(2)、荧光粉为氮化物时，所激发出色光的饱和度较低。

发明内容

本发明的目的是提供一种红光灯珠的制作方法，能够切实地解决现有技术对于红光灯珠亮度较低、色纯度较低的问题。

为了解决上述技术问题，本发明采用的技术方案如下：

一种红光灯珠的制作方法，其包括如下步骤：

步骤S1：提供支架和蓝光芯片，所述支架包括基板和包覆在所述基板上的绝缘体，所述绝缘体在所述基板的上方形成有围坝，所述围坝的中部为发光区；将所述蓝光芯片贴装在发光区上；

步骤S2：在所述发光区中覆盖一层透明胶层，使所述透明胶层平整且包覆所述蓝光芯片；

步骤S3：将经所述步骤S2处理后的半成品在80℃下固化，固化时间为30min；

步骤S4：在所述发光区中覆盖一层荧光胶层，使所述荧光胶层平整且覆盖在所述透明胶层的上方；

步骤S5：将所述荧光胶层进行离心沉淀处理，使所述荧光胶层的荧光粉在所述透明胶层的外表面形成沉降层，且所述沉降层的上方形成硅胶透明层；

步骤S6：将经所述步骤S5处理后获得的产品进行烘烤，完成封装。

作为本发明的优选方案，所述步骤S2中，所述透明胶层的折射率为1.55且透光率为99％。

作为本发明的优选方案，所述步骤S2中，所述透明胶层由扩散粉、第一A硅胶和第一B硅胶组成；其中，扩散粉、第一A硅胶和第一B硅胶的重量比为0.02：0.2：2。

作为本发明的优选方案，所述扩散粉的粒径为3μm～5μm。

作为本发明的优选方案，所述步骤S4中，所述荧光胶层由荧光粉、第二A硅胶和第二B硅胶组成；其中，荧光粉为氟化物且波段在630nm以上；荧光粉、第二A硅胶和第二B硅胶的重量比为1～1.7：0.2：2。

作为本发明的优选方案，所述步骤S2中，所述透明胶层的外表面到所述蓝光芯片的外表面的距离为50μm。

作为本发明的优选方案，所述蓝光芯片搭配所述透明胶层和所述荧光胶层所激发出的色光的亮度为26LM。

作为本发明的优选方案，所述蓝光芯片搭配所述透明胶层和所述荧光胶层所激发出的色光的半波宽为7.1nm。

作为本发明的优选方案，所述蓝光芯片搭配所述透明胶层和所述荧光胶层所激发出的色光的峰值波长为630nm。