[发明专利]封装结构及封装方法在审
申请号: | 202310637169.7 | 申请日: | 2023-05-31 |
公开(公告)号: | CN116646259A | 公开(公告)日: | 2023-08-25 |
发明(设计)人: | 沈彦旭;罗浩;张明权 | 申请(专利权)人: | 思瑞浦微电子科技(上海)有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L21/48;H01L23/31;H01L23/495 |
代理公司: | 苏州三英知识产权代理有限公司 32412 | 代理人: | 周仁青 |
地址: | 200000 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 封装 结构 方法 | ||
1.一种封装方法,应用于面板级封装,其特征在于,所述封装方法包括以下步骤:
提供基板,在基板上贴装引线框架,所述引线框架包括电气隔离的基岛及若干引脚;
将芯片背面贴装于引线框架的基岛上;
在基板上形成包覆芯片及引线框架的第一封装层;
在引脚上方及芯片上方的第一封装层中分别形成第一开口及第二开口;
在第一开口和第二开口中及第一封装层上预设区域形成电性连接引脚与芯片第一电镀层;
在第一封装层上形成包覆第一电镀层的第二封装层;
将基板从引线框架上剥离,得到封装体;
分离封装体形成多个封装结构。
2.根据权利要求1所述的封装方法,其特征在于,所述芯片正面包括若干焊垫,所述第二开口位于芯片正面焊垫上方。
3.根据权利要求1或2所述的封装方法,其特征在于,所述第一开口及第二开口的形成方法包括:
通过激光打孔工艺对引脚上方的第一封装层进行开孔,形成延伸至引脚的第一开口;和/或,
通过激光打孔工艺对芯片上方的第一封装层进行开孔,形成延伸至芯片的第二开口。
4.根据权利要求1所述的封装方法,其特征在于,所述第一封装层为塑封层,第二封装层为塑封层或阻焊层。
5.根据权利要求1所述的封装方法,其特征在于,所述第二封装层为阻焊层,阻焊层的形成方法包括:
在第一封装层及第一电镀层上印刷或涂覆阻焊油;
对阻焊油进行曝光及显影,在第一封装层上形成包覆第一电镀层的阻焊层。
6.根据权利要求1所述的封装方法,其特征在于,所述第一开口内的第一电镀层中形成有第三开口,所述第二封装层填充于第三开口中。
7.根据权利要求1所述的封装方法,其特征在于,所述芯片背面通过键合胶贴装于引线框架的基岛上,所述键合胶为导电胶或非导电胶。
8.根据权利要求1所述的封装方法,其特征在于,所述引线框架的背面通过热玻璃膜和/或临时键合胶贴装于基板上;
“将基板从引线框架上剥离”具体为:加热熔化热玻璃膜和/或临时键合胶,将基板从引线框架上剥离。
9.根据权利要求1所述的封装方法,其特征在于,“将基板从引线框架上剥离”后还包括:
在引线框架的基岛和/或引脚背面形成第二电镀层。
10.一种封装结构,通过面板级封装方法封装而得,其特征在于,所述封装结构包括:
引线框架,所述引线框架包括电气隔离的基岛及若干引脚;
芯片,所述芯片背面贴装于引线框架的基岛上;
第一封装层,包覆于芯片及引线框架外部,所述第一封装层中分别形成位于引脚上方的第一开口及位于芯片上方的第二开口;
第一电镀层,形成于第一开口和第二开口中及第一封装层上预设区域,所述引脚与芯片通过第一电镀层电性连接;
第二封装层,形成于第一封装层上且包覆第一电镀层。
11.根据权利要求10所述的封装结构,其特征在于,所述芯片正面包括若干焊垫,所述第二开口位于芯片正面焊垫上方,所述引脚与芯片正面焊垫通过第一电镀层电性连接。
12.根据权利要求10所述的封装结构,其特征在于,所述第一封装层为塑封层,第二封装层为塑封层或阻焊层。
13.根据权利要求10所述的封装结构,其特征在于,所述第一开口内的第一电镀层中形成有第三开口,所述第二封装层填充于第三开口中。
14.根据权利要求10所述的封装结构,其特征在于,所述引线框架的基岛和/或引脚背面形成第二电镀层。
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