[发明专利]封装结构及封装方法在审
申请号: | 202310637169.7 | 申请日: | 2023-05-31 |
公开(公告)号: | CN116646259A | 公开(公告)日: | 2023-08-25 |
发明(设计)人: | 沈彦旭;罗浩;张明权 | 申请(专利权)人: | 思瑞浦微电子科技(上海)有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L21/48;H01L23/31;H01L23/495 |
代理公司: | 苏州三英知识产权代理有限公司 32412 | 代理人: | 周仁青 |
地址: | 200000 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 封装 结构 方法 | ||
本发明揭示了一种封装结构及封装方法,所述封装结构包括:所述封装结构包括:引线框架,所述引线框架包括电气隔离的基岛及若干引脚;芯片,所述芯片背面贴装于引线框架的基岛上;第一封装层,包覆于芯片及引线框架外部,所述第一封装层中分别形成位于引脚上方的第一开口及位于芯片上方的第二开口;第一电镀层,形成于第一开口和第二开口中及第一封装层上预设区域,所述引脚与芯片通过第一电镀层电性连接;第二封装层,形成于第一封装层上且包覆第一电镀层。本发明改善了现有WBQFN封装结构中寄生效应和过流能力;且无需对焊垫进行特殊设计,降低了芯片设计难度。
技术领域
本发明属于半导体封装技术领域,具体涉及一种封装结构及封装方法。
背景技术
WBQFN(Wire Bonding Quad Flat No-lead Package)是指基于引线键合的方形扁平无引脚封装,通常是先将芯片粘贴在引线框架上,通过引线键合(Wire Bonding,WB)工艺将芯片的引脚引出,并通过塑封和切割工艺成型。
为了降低WBQFN中的封装寄生效应、提高WB过流能力,需要采用更粗的引线线材,但是引线线径到达2mil之后很难再继续向上增加,需要新工艺来改善寄生效应和过流能力。WB过程中经常发现Pad Crack,主要因为引线键合过程中存在引线下压过程,需要对Pad结构进行特殊设计,对芯片设计造成较大挑战。
因此,针对上述技术问题,有必要提供一种封装结构及封装方法。
发明内容
有鉴于此,本发明的目的在于提供一种封装结构及封装方法,以解决WBQFN封装结构及工艺中存在的问题。
为了实现上述目的,本发明一实施例提供的技术方案如下:
一种封装方法,应用于面板级封装,所述封装方法包括以下步骤:
提供基板,在基板上贴装引线框架,所述引线框架包括电气隔离的基岛及若干引脚;
将芯片背面贴装于引线框架的基岛上;
在基板上形成包覆芯片及引线框架的第一封装层;
在引脚上方及芯片上方的第一封装层中分别形成第一开口及第二开口;
在第一开口和第二开口中及第一封装层上预设区域形成电性连接引脚与芯片第一电镀层;
在第一封装层上形成包覆第一电镀层的第二封装层;
将基板从引线框架上剥离,得到封装体;
分离封装体形成多个封装结构。
一实施例中,所述芯片正面包括若干焊垫,所述第二开口位于芯片正面焊垫上方。
一实施例中,所述第一开口及第二开口的形成方法包括:
通过激光打孔工艺对引脚上方的第一封装层进行开孔,形成延伸至引脚的第一开口;和/或,
通过激光打孔工艺对芯片上方的第一封装层进行开孔,形成延伸至芯片的第二开口。
一实施例中,所述第一封装层为塑封层,第二封装层为塑封层或阻焊层。
一实施例中,所述第二封装层为阻焊层,阻焊层的形成方法包括:
在第一封装层及第一电镀层上印刷或涂覆阻焊油;
对阻焊油进行曝光及显影,在第一封装层上形成包覆第一电镀层的阻焊层。
一实施例中,所述第一开口内的第一电镀层中形成有第三开口,所述第二封装层填充于第三开口中。
一实施例中,所述芯片背面通过键合胶贴装于引线框架的基岛上,所述键合胶为导电胶或非导电胶。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于思瑞浦微电子科技(上海)有限责任公司,未经思瑞浦微电子科技(上海)有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202310637169.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造