[发明专利]存储器故障测试方法在审

专利信息
申请号: 202310642714.1 申请日: 2023-05-31
公开(公告)号: CN116597889A 公开(公告)日: 2023-08-15
发明(设计)人: 钟岱山;陈斌斌;张有志 申请(专利权)人: 粤芯半导体技术股份有限公司
主分类号: G11C29/56 分类号: G11C29/56
代理公司: 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 代理人: 冯启正
地址: 510000 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 存储器 故障测试 方法
【说明书】:

发明提供了一种存储器故障测试方法,包括:向每个地址写入反棋盘格数据;进行延时操作;从高地址向低地址依次进行读反棋盘格数据、读反棋盘格数据、写反棋盘格数据、读反棋盘格数据、写棋盘格数据、读棋盘格数据、写棋盘格数据和读棋盘格数据的操作;从高地址向低地址依次进行读棋盘格数据、写反棋盘格数据、写反棋盘格数据、读反棋盘格数据和写棋盘格数据的操作;从高地址向低地址依次进行读棋盘格数据、读棋盘格数据、写棋盘格数据、读棋盘格数据、写反棋盘格数据、读反棋盘格数据、写反棋盘格数据和读反棋盘格数据的操作;从高地址向低地址依次进行读反棋盘格数据、写棋盘格数据、写棋盘格数据、读棋盘格数据和写反棋盘格数据的操作。

技术领域

本发明涉及半导体测试技术领域,尤其是涉及一种存储器故障测试方法。

背景技术

随着存储器的容量越来越大,集成度越来越高,使得存储器内部的晶体管越来越密集,以及器件参数的微小浮动和特性的一些变化等情况下,导致存储器中出现的干扰故障问题日益突出。

目前主要的存储器算法测试主要是MarchC+算法,它拥有较高故障覆盖率且测试时间较短。例如,针对故障原语为r0;1/↓/–的故障,即某两个存储单元,存储单元a,b的状态为(r0,1)时,b单元出现1跳变为0。针对该故障的测试方法:先将存储器初始化为1,之后按照降序的顺序进行w0,r0操作,这样才能达到敏化状态(r0,1)的目的,由于故障数据为0,其正确的数据为1,所以在该两步操作之前加上一个r1操作,即可检测该故障。

但是测试的故障覆盖仍然不全面,覆盖率达不到100%。对于单一单元故障中的写干扰故障(WDF)和耦合故障中的写不变(CFdsxwx)等故障无法检测,对于双单元故障中的耦合写破坏故障(CFwd)也无法检测。

发明内容

本发明的目的在于提供一种存储器故障测试方法,可以测试到写干扰故障、干扰耦合写不变故障和耦合写破坏故障,从而可以提高故障测试的覆盖率,并且,还可以提高存储器故障测试的效率。

为了达到上述目的,本发明提供了一种存储器故障测试方法,包括:

向储存器的每个地址写入反棋盘格数据;

进行延时操作;

从高地址向低地址依次进行读反棋盘格数据、读反棋盘格数据、写反棋盘格数据、读反棋盘格数据、写棋盘格数据、读棋盘格数据、写棋盘格数据和读棋盘格数据的操作;

从高地址向低地址依次进行读棋盘格数据、写反棋盘格数据、写反棋盘格数据、读反棋盘格数据和写棋盘格数据的操作;

从高地址向低地址依次进行读棋盘格数据、读棋盘格数据、写棋盘格数据、读棋盘格数据、写反棋盘格数据、读反棋盘格数据、写反棋盘格数据和读反棋盘格数据的操作;

从高地址向低地址依次进行读反棋盘格数据、写棋盘格数据、写棋盘格数据、读棋盘格数据和写反棋盘格数据的操作;

其中,所述棋盘格数据为1开头,0和1交替设置的数字串,所述反棋盘格数据为0开头,1和0交替设置的数字串。

可选的,在所述的存储器故障测试方法中,还包括:在每次读操作和后将读取的数据与期望值进行比较,以产生测试结果。

可选的,在所述的存储器故障测试方法中,按照任意顺序向储存器的每个地址进行写入反棋盘格数据。

可选的,在所述的存储器故障测试方法中,从高地址向低地址依次写入反棋盘格数据。

可选的,在所述的存储器故障测试方法中,从低地址向高地址依次写入反棋盘格数据。

本发明还提供了一种存储器故障测试方法,包括:

向储存器的每个地址写入反棋盘格数据;

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