[发明专利]一种晶体管的制作方法

权利要求书

1.一种晶体管的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

依次形成有源区和位于所述有源区上层的无源区，其中，所述有源区内形成有晶体管的源极和漏极；所述无源区内至少包括第一介质层，所述第一介质层中形成有栅极、源极连接柱以及漏极连接柱；其中，所述源极连接柱与所述源极电连接；所述漏极连接柱与所述漏极电连接；

在所述无源区形成刻蚀空间，以裸露出所述第一介质层；

向所述刻蚀空间内灌入刻蚀液，以刻蚀所述第一介质层，形成空气间隙；其中，所述空气间隙分布在所述栅极和所述源极连接柱之间，和/或，所述空气间隙分布在所述栅极和所述漏极连接柱之间；

填充所述刻蚀空间。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述无源区还包括第二介质层和第三介质层；其中，所述第二介质层覆盖在所述第一介质层之上，所述源极连接柱和所述漏极连接柱还位于所述第二介质层中；所述第三介质层覆盖在所述第二介质层之上。

3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述在所述无源区形成刻蚀空间，以裸露出所述第一介质层，包括：

依次刻蚀所述第三介质层以及所述第二介质层形成刻蚀槽，以裸露出所述第一介质层的顶面；

或者，

依次刻蚀所述第三介质层、所述第二介质层以及所述第一介质层形成刻蚀槽，以裸露出所述第一介质层的截面。

4.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述在所述无源区形成刻蚀空间，以裸露出所述第一介质层，包括：

沿所述源极连接柱和/或所述漏极连接柱的所在位置，依次刻蚀所述第三介质层以及所述第二介质层形成刻蚀孔，裸露出与所述源极连接柱和/或所述漏极连接柱相邻的所述第一介质层的顶面；

和/或，

沿所述源极连接柱和/或漏极连接柱的所在位置，依次刻蚀第三介质层、所述第二介质层以及所述第一介质层形成刻蚀孔，裸露出与所述源极连接柱和/或所述漏极连接柱相邻的所述第一介质层的截面。

5.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述在所述无源区形成刻蚀空间，以裸露出所述第一介质层，包括：

在所述源极连接柱和/或漏极连接柱的所在位置，刻蚀第三介质层形成位于所述第三介质层的刻蚀孔，裸露出所述源极连接柱和/或所述漏极连接柱的顶面的边缘；

沿所述边缘刻蚀所述源极连接柱的延伸方向形成位于所述源极连接柱的刻蚀孔，裸露出与所述源极连接柱相邻的所述第一介质层的截面；和/或，沿所述边缘刻蚀所述漏极连接柱的延伸方向形成位于所述漏极连接柱的刻蚀孔，裸露出与所述漏极连接柱相邻的所述第一介质层的截面。

6.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述方法还包括：

在形成所述空气间隙之前，形成过孔；其中，所述过孔，用于所述栅极、所述源极连接柱和所述漏极连接柱的电连接。

7.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述方法还包括：

在填充所述刻蚀空间之后，在所述第二介质层和所述三介质层上形成用于连接所述栅极的过孔，以及在所述第三介质层上形成用于连接所述源极连接柱和连接所述漏极连接柱的过孔。

8.根据权利要求6或7所述的制作方法，其特征在于，所述方法还包括：

在填充所述刻蚀空间之前刻蚀所述第二介质层，形成位于所述第一介质层和所述第三介质层之间的空气间隙；

其中，位于所述第一介质层和所述第三介质层之间的空气间隙，包括：位于所述过孔和所述源极连接柱之间的空气间隙，以及位于所述过孔和所述漏极连接柱之间的空气间隙。

9.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述第一介质层、所述第二介质层和所述第三介质层的介质不同。

10.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述填充所述刻蚀空间，包括：

通过物理气相沉积的方式沉积绝缘介质，以填充所述刻蚀空间。