[发明专利]一种晶体管的制作方法

说明书

本公开是关于一种晶体管的制作方法，包括：依次形成有源区和位于所述有源区上层的无源区，其中，所述有源区内形成有晶体管的源极和漏极；所述无源区内至少包括第一介质层，所述第一介质层中形成有栅极、源极连接柱以及漏极连接柱；其中，所述源极连接柱与所述源极电连接；所述漏极连接柱与所述漏极电连接；在所述无源区形成刻蚀空间，以裸露出所述第一介质层；向所述刻蚀空间内灌入刻蚀液，以刻蚀所述第一介质层，形成空气间隙；其中，所述空气间隙分布在所述栅极和所述源极连接柱之间，和/或，所述空气间隙分布在所述栅极和所述漏极连接柱之间；填充所述刻蚀空间。

技术领域

本公开涉及电子器件领域，尤其涉及一种晶体管的制作方法。

背景技术

相关技术中，场效应晶体管器件的源极、漏极和栅极之间往往存在较大的寄生电容，例如，在源极和栅极之间存在较大的寄生电容，漏极和栅极之间存在寄生电容，源极和漏极之间也会存在寄生电容，寄生电容会影响场效应晶体管的性能，进而导致应用场效应晶体管的整体电路的性能受限。

发明内容

本公开提供一种晶体管的制作方法。

本公开实施例的第一方面，提供一种晶体管的制作方法，所述方法包括：依次形成有源区和位于所述有源区上层的无源区，其中，所述有源区内形成有晶体管的源极和漏极；所述无源区内至少包括第一介质层，所述第一介质层中形成有栅极、源极连接柱以及漏极连接柱；其中，所述源极连接柱与所述源极电连接；所述漏极连接柱与所述漏极电连接；在所述无源区形成刻蚀空间，以裸露出所述第一介质层；向所述刻蚀空间内灌入刻蚀液，以刻蚀所述第一介质层，形成空气间隙；其中，所述空气间隙分布在所述栅极和所述源极连接柱之间，和/或，所述空气间隙分布在所述栅极和所述漏极连接柱之间；填充所述刻蚀空间。

在一个实施例中，所述无源区还包括第二介质层和第三介质层；其中，所述第二介质层覆盖在所述第一介质层之上，所述源极连接柱和所述漏极连接柱还位于所述第二介质层中；所述第三介质层覆盖在所述第二介质层之上。

在一个实施例中，所述在所述无源区形成刻蚀空间，以裸露出所述第一介质层，包括：依次刻蚀所述第三介质层以及所述第二介质层形成刻蚀槽，以裸露出所述第一介质层的顶面；或者，依次刻蚀所述第三介质层、所述第二介质层以及所述第一介质层形成刻蚀槽，以裸露出所述第一介质层的截面。

在一个实施例中，所述在所述无源区形成刻蚀空间，以裸露出所述第一介质层，包括：沿所述源极连接柱和/或所述漏极连接柱的所在位置，依次刻蚀所述第三介质层以及所述第二介质层形成刻蚀孔，裸露出与所述源极连接柱和/或所述漏极连接柱相邻的所述第一介质层的顶面；和/或，沿所述源极连接柱和/或漏极连接柱的所在位置，依次刻蚀第三介质层、所述第二介质层以及所述第一介质层形成刻蚀孔，裸露出与所述源极连接柱和/或所述漏极连接柱相邻的所述第一介质层的截面。

在一个实施例中，所述在所述无源区形成刻蚀空间，以裸露出所述第一介质层，包括：在所述源极连接柱和/或漏极连接柱的所在位置，刻蚀第三介质层形成位于所述第三介质层的刻蚀孔，裸露出所述源极连接柱和/或所述漏极连接柱的顶面的边缘；沿所述边缘刻蚀所述源极连接柱的延伸方向形成位于所述源极连接柱的刻蚀孔，裸露出与所述源极连接柱相邻的所述第一介质层的截面；和/或，沿所述边缘刻蚀所述漏极连接柱的延伸方向形成位于所述漏极连接柱的刻蚀孔，裸露出与所述漏极连接柱相邻的所述第一介质层的截面。

在一个实施例中，所述方法还包括：在形成所述空气间隙之前，形成过孔；其中，所述过孔，用于所述栅极、所述源极连接柱和所述漏极连接柱的电连接。

在一个实施例中，所述方法还包括：在填充所述刻蚀空间之后，在所述第二介质层和所述三介质层上形成用于连接所述栅极的过孔，以及在所述第三介质层上形成用于连接所述源极连接柱和连接所述漏极连接柱的过孔。