[发明专利]测试结构及测试方法

权利要求书

1.一种测试结构，其特征在于，包括：

衬底；

位于衬底上的至少两个测试金属层，每个测试金属层均包括穿插设置的蛇形金属线和梳齿状结构；

第一测试电极至第三测试电极，其中第一测试电极与每个测试金属层中的蛇形金属线的第一端分别相连，第二测试电极与每个测试金属层中的蛇形金属线的第二端分别相连，第三测试电极与每个测试金属层中的梳齿状结构相连，使第一测试电极与第二测试电极之间形成至少两个第一测试支路，第一测试电极与第三测试电极之间形成至少两个第二测试支路，第二测试电极与第三测试电极之间形成至少两个第三测试支路；

其中，在第一测试电极与每个测试金属层中的蛇形金属线的第一端之间还串联有第一预设MOS管，在第二测试电极与每个测试金属层的蛇形金属线的第二端之间还串联有第二预设MOS管；每个第一测试支路在相同测试电压下的电流不同，每个第二测试支路在相同测试电压下的电流不同，每个第三测试支路在相同测试电压下的电流不同。

2.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，同一第一测试支路中的第一预设MOS管和第二预设MOS管相同。

3.根据权利要求1或2所述的测试结构，其特征在于，同一第一测试支路中的第一预设MOS管和第二预设MOS管能够通过蛇形金属线实现正向串联。

4.根据权利要求1-3任一项所述的测试结构，其特征在于，在所述测试结构中，所有第一预设MOS管和第二预设MOS管的开启电压的差异不超过10％。

5.根据权利要求4所述的测试结构，其特征在于，所述第一预设MOS管和所述第二预设MOS管均分别基于所述衬底形成。

6.根据权利要求1或2所述的测试结构，其特征在于，所述第三测试电极位于第一测试电极与第二测试电极之间；

所述蛇形金属线包括相连接的两部分，其中一部分位于第一测试电极与第三测试电极之间，另一部分位于第三测试电极与第二测试电极之间。

7.根据权利要求6所述的测试结构，其特征在于，所述梳齿状结构包括第一梳齿状结构和第二梳齿状结构，所述第一梳齿状结构和所述第二梳齿状结构分别从所述蛇形金属线的两侧与所述蛇形金属线穿插。

8.根据权利要求7所述的测试结构，其特征在于，所述梳齿状结构包括梳柄和与所述梳柄相连的多个齿状金属条，所述第一梳齿状结构的梳柄和所述第二梳齿状结构的梳柄在绕过所述蛇形金属线一端的位置相连。

9.一种测试方法，其特征在于，采用权利要求1-8任一项所述的测试结构，该测试方法包括如下步骤：

在第一测试电极与第二测试电极之间施加第一预设电压，检测第一测试电极与第二测试电极之间的第一电流值，所述第一预设电压能够使第一测试支路中的第一预设MOS管和第二预设MOS管正向导通；

在第一测试电极与第三测试电极之间施加第二预设电压，检测第一测试电极与第三测试电极之间的第二电流值，所述第二预设电压能够使第二测试支路中的第一预设MOS管正向导通；

在第二测试电极与第三测试电极之间施加第三预设电压，检测第二测试电极与第三测试电极之间的第三电流值，所述第三预设电压能够使第三测试支路中的第二预设MOS管正向导通；

根据所述第一电流值、所述第二电流值、所述第三电流值判断和定位缺陷。

10.根据权利要求9所述的测试方法，其特征在于，还包括：

建立判定对照表，所述判定对照表包括第一电流值至第三电流值的不同组合与缺陷的映射关系；

根据第一电流值至第三电流值与判定对照表的比对结果，判断和定位缺陷。

11.根据权利要求9或10所述的测试方法，其特征在于，所述第一预设电压的电压值为所述第二预设电压的电压值的两倍；所述第三预设电压的电压值与所述第二预设电压的电压值相同_，所述第二预设电压的IA23000075

电压值为第一预设MOS管和第二预设MOS管中最高开启电压的0.9～1倍。