[发明专利]一种带补偿结构的激光器芯片载体在审
申请号: | 202310651308.1 | 申请日: | 2023-06-01 |
公开(公告)号: | CN116565684A | 公开(公告)日: | 2023-08-08 |
发明(设计)人: | 宋小平;刘成刚;湛红波 | 申请(专利权)人: | 武汉光迅科技股份有限公司 |
主分类号: | H01S5/02315 | 分类号: | H01S5/02315;H01S5/0233;H01S5/023 |
代理公司: | 深圳市爱迪森知识产权代理事务所(普通合伙) 44341 | 代理人: | 何婷 |
地址: | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 补偿 结构 激光器 芯片 载体 | ||
1.一种带补偿结构的激光器芯片载体,其特征在于,包括第一载体层(1)和第二载体层(2),其中,所述第一载体层(1)设置在所述第二载体层(2)上;
所述第一载体层(1)的上表面第一预设位置上设置有贴装区(11),所述贴装区(11)用于贴装激光器芯片;
所述贴装区(11)的一端延伸出至少两个第一金属区(12),所述第一金属区(12)延伸的末端设置有矩形金属区(13),所述第二载体层(2)上设置有地平区(21),以便于所述矩形金属区(13)对所述地平区(21)产生载体寄生电容(3);
所述第一载体层(1)上表面还设置有集成电阻(14)和集成电容(15),所述第二载体层(2)上表面第二预设位置设置有集成电感(4);
所述激光器芯片的一极与所述集成电感(4)的一端连接,以便于将所述激光器芯片与所述集成电(4)形成串接的电性互连关系;所述载体寄生电容(3)的一端与所述集成电阻(14)的一端连接,形成串接的电性互连关系,所述集成电容(15)的一端和所述集成电阻(14)的另一端分别与所述集成电感(4)的另一端电性连接,所述集成电容(15)的另一端和载体寄生电容(3)的另一端分别与所述激光器芯片的另一极电性连接,以形成补偿激光器芯片带宽的补偿电路。
2.根据权利要求1所述的带补偿结构的激光器芯片载体,其特征在于,所述第一金属区(12)与所述贴装区(11)连接的一端设置为倒立漏斗形,以减少射频信号传输到激光器芯片时的发射。
3.根据权利要求1所述的带补偿结构的激光器芯片载体,其特征在于,所述第一载体层(1)和所述第二载体层(2)之间设置有绝缘层,以避免产生电串扰。
4.根据权利要求3所述的带补偿结构的激光器芯片载体,其特征在于,所述第一载体层(1)上设置有至少一个与所述第一金属区(12)并行的金属化层(16),所述金属化层(16)上设置有贯穿绝缘层并朝向第二载体层(2)延伸的金属化孔(17),所述金属化孔(17)的一端与所述金属化层(16)连接,所述金属化孔(17)的另一端与所述集成电感(4)的一端连接。
5.根据权利要求1所述的带补偿结构的激光器芯片载体,其特征在于,所述至少两个第一金属(12)区沿所述贴装区(11)呈中心对称分布设置。
6.根据权利要求1所述的带补偿结构的激光器芯片载体,其特征在于,所述矩形金属区(13)的尺寸大于等于0.15mm×0.15mm,且小于等于0.25mm×0.25mm。
7.根据权利要求1所述的带补偿结构的激光器芯片载体,其特征在于,所述第一载体层(1)和第二载体层(2)均采用氮化铝陶瓷或硅基材料制成。
8.一种带补偿结构的激光器芯片载体,其特征在于,包括第一载体层(1)和第二载体层(2),其中,所述第一载体层(1)设置在所述第二载体层(2)上;
所述第一载体层(1)的上表面第一预设位置上设置有贴装区(11),所述贴装区(11)用于贴装激光器芯片;
所述贴装区(11)的一端延伸出至少两个第一金属区(12),所述第一金属区(12)延伸的末端设置有矩形金属区(13),所述第二载体层(2)上设置有地平区(21),以便于对所述地平区(21)产生载体寄生电容(3);
所述第一载体层(1)上表面还设置有集成电阻(14)、集成电容(15)和集成电感(4);
所述激光器芯片的一极与所述集成电感(4)的一端连接,以便于将所述激光器芯片与所述集成电(4)形成串接的电性互连关系;所述载体寄生电容(3)的一端与所述集成电阻(14)的一端连接,形成串接的电性互连关系,所述集成电容(15)的一端和所述集成电阻(14)的另一端分别与所述集成电感(4)的另一端电性连接,所述集成电容(15)的另一端和载体寄生电容(3)的另一端分别与所述激光器芯片的另一极电性连接,以形成补偿激光器芯片带宽的补偿电路。
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