[发明专利]一种半导体用无铅玻璃粉的制备方法在审
申请号: | 202310665865.9 | 申请日: | 2023-06-07 |
公开(公告)号: | CN116651561A | 公开(公告)日: | 2023-08-29 |
发明(设计)人: | 叶韦廷 | 申请(专利权)人: | 日鸿半导体材料(南通)有限公司 |
主分类号: | B02C4/26 | 分类号: | B02C4/26;C03C12/00;B02C4/28;B02C19/00;B02C23/10;B07B1/50;B07B1/52 |
代理公司: | 南通一恒专利商标代理事务所(普通合伙) 32553 | 代理人: | 梁金娟 |
地址: | 226400 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 半导体 铅玻璃 制备 方法 | ||
本发明公开了一种半导体用无铅玻璃粉的制备方法,本发明涉及无铅玻璃粉生产制备技术领域。该半导体用无铅玻璃粉的制备方法步骤需要由底座、研磨机构、刮除机构和筛分机构配合完成,底座上端面固定连接有L形安装架,L形安装架横向段下端面安装有研磨机构,L形安装架竖向段左端面安装有用于与研磨机构配合的刮除机构,滑杆前端通过固定块固定连接有滑动设置在平行四边形导向槽内部的导向柱,安装板左部安装有用于驱动滑杆间歇移动的驱动组件,本发明通过刮除机构及时的将研磨过程中停留在网板表面上质地较硬的大块杂质颗粒刮除下来,保证玻璃颗粒能够被正常研磨粉碎掉,同时保证研磨后的玻璃颗粒粒径大小符合标准。
技术领域
本发明涉及无铅玻璃粉生产制备技术领域,具体为一种半导体用无铅玻璃粉的制备方法。
背景技术
无铅低熔点玻璃粉是由安米微纳推出的一种先进封接材料,该材料具有较低的熔化温度和封接温度,良好的耐热性和化学稳定性高的机械强度,在半导体领域中无铅玻璃粉是半导体制造过程中不可缺少的材料之一,如用作封装材料时:用于将半导体芯片和电路保护起来,防止其受到外界环境的影响;也可用于半导体异质结组装:提高异质结元器件的性能、可靠性和稳定性;亦可作为输运介质:无铅玻璃粉具有良好的输运介质性能,可用于半导体工艺中的涂覆、刻蚀、蚀刻等工艺过程中。
总之,半导体用无铅玻璃粉在半导体制造过程中起到了至关重要的作用,不仅保护了芯片和电路,而且提高了元器件的性能和稳定性,同时,随着环保要求的提高,使用无铅玻璃粉也符合环保要求。
无铅玻璃粉在制备时传统的研磨设备在研磨过程中部分质地较硬的杂质颗粒无法被研磨盘所磨碎掉,不能够及时的清除掉,进而一直停留在研磨盘表面上,从而影响玻璃颗粒的正常研磨,导致研磨后的玻璃粉粒径大小不符合标准的大小。
另外,在对研磨后的玻璃粉筛分过程中,现有的筛分方式通过往复机构带动筛板横向往复运动进行筛分,但是这种筛分方式在长时间的使用后筛孔容易被玻璃粉积聚进而堵住,导致筛板的过滤能力下降。
发明内容
本发明提供了一种半导体用无铅玻璃粉的制备方法,解决了研磨过程中部分质地较硬的大块杂质颗粒容易停留在研磨盘上,影响玻璃颗粒的正常研磨,以及筛板容易被玻璃颗粒堵住的技术问题。
本发明提供的一种半导体用无铅玻璃粉的制备方法,具体半导体用无铅玻璃粉的制备方法步骤如下:S1、原材料选取:选取氧化硼、氧化硅、氮化硼作为无铅玻璃原材料。
S2、混合:选取适量的无铅玻璃原材料按一定比例充分混合,制备成玻璃颗粒。
S3、研磨:将S2中的玻璃颗粒倒入研磨机构中进行破碎研磨处理,使的破碎后的颗粒大小合适,并利用刮除机构及时去除研磨过程中较大的颗粒和硬度较高的杂质颗粒。
S4、筛分:S3中研磨后的玻璃粉再进入到筛分机构中进行筛分处理,由筛分机构选取合适的粒径大小,得到所需半导体用无铅玻璃粉。
上述半导体用无铅玻璃粉S1-S4步骤中的半导体用无铅玻璃粉的制备方法步骤需要由底座、研磨机构、刮除机构和筛分机构配合完成。
所述底座上端面固定连接有L形安装架,所述L形安装架横向段下端面安装有研磨机构,所述L形安装架竖向段左端面安装有用于与研磨机构配合的刮除机构,所述底座上端面且位于研磨机构正下方安装有筛分机构,所述刮除机构包括:固定连接在连接在L形安装架竖向段左端面的安装板、固定连接在安装板左端面的C形板、固定连接在C形板上下相对侧之间的滑柱、滑动连接在滑柱外部的滑块、贯穿滑动连接在滑块内部的滑杆、且滑杆后端与安装板左端面共同固定连接有复位弹簧,C形板竖向段靠近滑杆的一侧固定连接有用于对滑杆限位的止逆齿、固定连接在滑杆外部用于刮除研磨机构中大颗粒和杂质颗粒的刮板、通过固定柱固定连接在安装板左部的平行四边形框、开设在平行四边形框左端面上的平行四边形导向槽、滑杆前端通过固定块固定连接有滑动设置在平行四边形导向槽内部的导向柱,所述安装板左部安装有用于驱动滑杆间歇移动的驱动组件。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日鸿半导体材料(南通)有限公司,未经日鸿半导体材料(南通)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202310665865.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。