[发明专利]系统级芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种系统级芯片，包含：数字模块和嵌入式存储模块，其特征在于，数字模块中包含至少一个第一MOS晶体管和至少一个标准单元，嵌入式存储模块中包含至少一个嵌入式存储单元；

其中所述的标准单元包含至少一个第二MOS晶体管，所述嵌入式存储单元包含至少一个第三MOS晶体管，所述的第一MOS晶体管、第二MOS晶体管、和第三MOS晶体管各自包含一个栅极及其下方的栅氧层，其中所述的第二MOS晶体管和第三MOS晶体管的栅氧层的厚度比第一MOS晶体管的少至少10埃；

所述的数字模块还包含第四MOS晶体管，第四MOS晶体管包含一个栅极及其下方的栅氧层，其中所述第二MOS晶体管的栅氧层的厚度比第四MOS晶体管的多至少5埃。

2.如权利要求1所述的系统级芯片，其特征在于，其中所述的第二MOS晶体管与第三MOS晶体管的栅氧层在同一制备工艺平台中的同一道步骤中形成。

3.如权利要求1-2中任一项所述的系统级芯片，其特征在于，其中所述第二MOS晶体管和第三MOS晶体管的栅氧层厚度为30-190埃。

4.如权利要求1-2中任一项所述的系统级芯片，其特征在于，其中所述的嵌入式存储单元是嵌入式非易失性存储单元。

5.如权利要求4所述的系统级芯片，其特征在于，其中所述的嵌入式非易失性存储单元是嵌入式多次可编程可擦除存储单元、或嵌入式闪存存储单元。

6.如权利要求1-2中任一项所述的系统级芯片，其特征在于，其中所述的标准单元是反相器、与非门、或非门、三态缓冲区、锁存器、触发器、寄存器、选择器、或全加器。

7.一种制备权利要求1所述系统级芯片的方法，其特征在于，包含以下步骤：在第一MOS晶体管的栅氧层形成后，在欲形成第二MOS晶体管和第三MOS晶体管的区域，将已形成的栅氧层减薄，同时形成第二MOS晶体管与第三MOS晶体管的栅氧层。