[发明专利]MOSFET芯片的制造方法

权利要求书

1.一种MOSFET芯片的制造方法，其特征在于，包括如下步骤： 在半导体基片之中形成沟槽，所述沟槽包括第一沟槽和第二沟槽，在所述沟槽之中形成栅氧化层和多晶硅栅； 所述第一沟槽位于MOSFET芯片的元胞区，所述第二沟槽位于MOSFET芯片的预设静电保护电路区域； 采用离子注入、退火工艺，形成体区，所述体区包括第一体区和第二体区； 所述第一体区位于MOSFET芯片的元胞区；所述第二体区位于MOSFET芯片的预设静电保护电路区域，被第二沟槽分割成两个独立的第二体区； 采用光刻、离子注入、退火工艺，形成源区；所述源区只位于MOSFET芯片的元胞区，在MOSFET芯片的预设静电保护电路区域不存在源区； 采用化学气相淀积工艺生长厚度D1为400～800纳米的第一氧化硅； 采用光刻、刻蚀工艺去除设定区域的第一氧化硅，在MOSFET芯片的预设静电保护电路区域形成宽度为W1的第一氧化硅窗口； 每个第二体区的表面对应形成两个第一氧化硅窗口，同一个第二体区对应的两个第一氧化硅窗口的间距为S1； W1的尺寸为0.5～5微米，S1的尺寸为0.3～3微米； 淀积浓掺杂的多晶硅，所述多晶硅将所述第一氧化硅窗口填满； 采用化学机械研磨工艺，去除高出所述第一氧化硅上表面的多晶硅，保留所述第一氧化硅窗口中的多晶硅，采用快速热退火工艺激活所述多晶硅； 四个所述第一氧化硅窗口中的多晶硅分别为第一多晶硅，第二多晶硅，第三多晶硅和第四多晶硅； 所述第一多晶硅和第二多晶硅对应同一个第二体区，位于同一个第二体区的表面，间距为S1；所述第三多晶硅和第四多晶硅对应同一个第二体区，位于同一个第二体区的表面，间距为S1； 采用化学气相淀积工艺生长厚度为20～50纳米的第二氧化硅； 采用光刻、刻蚀工艺，形成第一接触孔，第二接触孔，第三接触孔，第四接触孔和第五接触孔； 所述光刻为一次光刻，且仅需要一次光刻；所述第一接触孔位于MOSFET芯片的元胞区，穿透所述第二氧化硅、第一氧化硅，源区并到达所述第一体区之中； 所述第二接触孔，第三接触孔，第四接触孔和第五接触孔位于MOSFET芯片的预设静电保护电路区域，穿透所述第二氧化硅，分别到达第一多晶硅，第二多晶硅，第三多晶硅和第四多晶硅之中； 采用淀积、光刻、刻蚀工艺，形成第一金属，第二金属，第三金属和第四金属； 所述第一金属位于MOSFET芯片的元胞区，通过第一接触孔将MOSFET芯片的源区和第一体区短接并引出，第一体区为MOSFET芯片的体区，第一金属为MOSFET芯片的源极金属； 所述第二金属，第三金属和第四金属位于MOSFET芯片的预设静电保护电路区域，通过接触孔将所述多晶硅引出，具体为： 所述第二金属通过第二接触孔将第一多晶硅引出，且与MOSFET芯片的源极金属短接，即第一多晶硅与MOSFET芯片的源极是短接的； 所述第三金属通过第三接触孔和第四接触孔将第二多晶硅和第三多晶硅引出并短接，第二多晶硅与第三多晶硅是同电位的；第二多晶硅和第三多晶硅分别位于相邻的两个独立的第二体区的表面； 所述第四金属通过第五接触孔将第四多晶硅引出，且与MOSFET芯片的栅极金属短接，第四多晶硅与MOSFET芯片的栅极是短接的； 所述第三金属不连接MOSFET芯片的任何一个极； 所述第一体区和第二体区，采用完全相同的工艺步骤同步形成的掺杂区； 所述多晶硅为浓掺杂的多晶硅，掺杂浓度大于10E19 /cm³； 所述多晶硅的掺杂类型与所述第二体区的掺杂类型相反，当所述第二体区为N型，则所述多晶硅为P型，当所述第二体区为P型，则所述多晶硅为N型；所述多晶硅具体包括第一多晶硅，第二多晶硅，第三多晶硅和第四多晶硅。