[发明专利]阵列基板以及显示面板

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：

衬底；

多晶硅有源层，设置于所述衬底的一侧；

第一栅绝缘层，设置于所述衬底的一侧且覆盖所述多晶硅有源层；

第一金属层，设置于所述第一栅绝缘层背离所述多晶硅有源层的一侧；

第二栅绝缘层，设置于所述第一栅绝缘层背离所述多晶硅有源层的一侧，且覆盖所述第一金属层；

氧化物有源层，设置于所述第二栅绝缘层背离所述第一栅绝缘层的一侧；

其中，所述氧化物有源层包括第一沟道区和位于所述第一沟道区两侧的第一掺杂区；所述第一金属层经一次光罩工艺形成间隔设置的第一栅极、第一源极以及第一漏极；所述第一栅极位于所述第一沟道区的正下方；所述第一源极和所述第一漏极分别与所述第一沟道区两侧的第一掺杂区连接，且所述第一源极或所述第一漏极朝向背离所述第一栅极的方向延伸，以作为存储电容的下极板层。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一金属层还包括与所述第一栅极、所述第一源极以及所述第一漏极在同一光罩工艺下形成的第二栅极，且所述第二栅极与所述第一栅极、所述第一源极以及所述第一漏极均间隔设置；

所述多晶硅有源层包括第二沟道区和位于所述第二沟道区两侧的第二掺杂区，所述第二栅极位于所述第二沟道区的正上方。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：

层间介质层，设置于所述第二栅绝缘层背离所述第一栅绝缘层的一侧，且覆盖所述氧化物有源层；

第二金属层，设置于所述层间介质层背离所述第二栅绝缘层的一侧；

其中，所述第二金属层经一次光罩工艺形成间隔设置的第二源极、第二漏极、第一导电层以及第二导电层；所述第二源极和所述第二漏极分别通过第二接触孔与所述第二沟道区两侧的所述第二掺杂区连接，所述第一导电层和所述第二导电层分别通过第三接触孔与所述第一源极和所述第一漏极连接；

所述第二接触孔贯穿所述第一栅绝缘层、所述第二栅绝缘层以及所述层间介质层；所述第三接触孔贯穿所述第二栅绝缘层以及所述层间介质层，所述第二接触孔和所述第三接触孔由同一光罩工艺形成。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第二金属层还包括与所述第二源极、所述第二漏极、所述第一导电层以及所述第二导电层在同一光罩工艺下形成的上极板层，且所述上极板层与所述第二源极、所述第二漏极、所述第一导电层以及所述第二导电层均间隔设置；

其中，所述上极板层与所述第一源极的延伸部分或所述第一漏极的延伸部分对应设置，以与所述第一源极的延伸部分或所述第一漏极的延伸部分配合形成所述存储电容。

5.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第二金属层还包括与所述第二源极、所述第二漏极、所述第一导电层以及所述第二导电层在同一光罩工艺下形成的第三栅极，且所述第三栅极与所述第二源极、所述第二漏极、所述第一导电层以及所述第二导电层均间隔设置；其中，所述第三栅极位于所述第一沟道区的正上方。

6.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：

钝化层，设置于所述层间介质层背离所述第二栅绝缘层的一侧，且覆盖所述第二金属层；

平坦化层，设置于所述钝化层背离所述层间介质层的一侧；

阳极，由设置于所述平坦化层背离所述钝化层的一侧的阳极层经一次光罩工艺形成；且所述阳极通过第四接触孔与所述第二漏极连接；所述第四接触孔贯穿所述钝化层以及所述平坦化层。

7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：

像素定义层，设置于所述平坦化层背离所述钝化层的一侧，其中，所述像素定义层具有用于容置发光器件的第一开口，所述阳极的至少部分从所述第一开口暴露；

支撑层，设置于所述像素定义层背离所述平坦化层侧一侧，且所述支撑层具有与所述第一开口对应的第二开口。

8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述第一开口和所述第二开口在同一光罩工艺下形成。