[发明专利]阵列基板以及显示面板

说明书

本申请提供一种阵列基板以及显示面板，阵列基板包括衬底、多晶硅有源层、第一栅绝缘层、第一金属层、第二栅绝缘层、氧化物有源层；其中，氧化物有源层包括第一沟道区和位于第一沟道区两侧的第一掺杂区；第一金属层经一次光罩工艺形成间隔设置的第一栅极、第一源极以及第一漏极；第一栅极位于第一沟道区的正下方；第一源极和第一漏极分别与第一沟道区两侧的第一掺杂区连接，且第一源极或第一漏极朝向背离第一栅极的方向延伸，以作为存储电容的下极板层。具体的，本申请通过一次光罩工艺形成氧化物有源层的第一栅极、第一源极、第一漏极，以及存储电容的下极板，可以减少基板制作过程中的光罩工艺，进而减少制作成本，且简化制作工艺。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，特别是涉及一种阵列基板以及显示面板。

背景技术

将LTPS((Low Temperature Poly-silicon,低温多晶硅)显示面板技术和Oxide(Indium Gallium Zinc Oxide，氧化铟镓锌)显示面板技术相结合得到的LTPO(LowTemperature Polysilicon Oxide，低温多晶硅氧化物)显示面板，不仅具有LTPS显示面板的高分辨率、高反应速度、高亮度、高开口率等优势，其还具有功耗低以及支持1～120Hz刷新率的优势。

然而，目前的LTPO背板因为需要兼顾两种TFT((Thin Film Transistor，薄膜晶体管)器件，所以背板的制作工艺通常需要用到至少13-17道光罩工艺，制作成本大，且工艺复杂。

发明内容

本申请提供一种阵列基板以及显示面板，其能够解决现有的阵列基板以及显示面板制作成本大，且工艺复杂的问题。

为解决上述技术问题，本申请提供的第一个技术方案为：提供一种阵列基板，包括：衬底；多晶硅有源层，设置于所述衬底的一侧；第一栅绝缘层，设置于所述衬底的一侧且覆盖所述多晶硅有源层；第一金属层，设置于所述第一栅绝缘层背离所述多晶硅有源层的一侧；第二栅绝缘层，设置于所述第一栅绝缘层背离所述多晶硅有源层的一侧，且覆盖所述第一金属层；氧化物有源层，设置于所述第二栅绝缘层背离所述第一栅绝缘层的一侧；其中，所述氧化物有源层包括第一沟道区和位于所述第一沟道区两侧的第一掺杂区；所述第一金属层经一次光罩工艺形成间隔设置的第一栅极、第一源极以及第一漏极；所述第一栅极位于所述第一沟道区的正下方；所述第一源极和所述第一漏极分别与所述第一沟道区两侧的第一掺杂区连接，且所述第一源极或所述第一漏极朝向背离所述第一栅极的方向延伸，以作为存储电容的下极板层。

在一些实施例中，所述第一金属层还包括与所述第一栅极、所述第一源极以及所述第一漏极在同一光罩工艺下形成的第二栅极，且所述第二栅极与所述第一栅极、所述第一源极以及所述第一漏极均间隔设置；所述多晶硅有源层包括第二沟道区和位于所述第二沟道区两侧的第二掺杂区，所述第二栅极位于所述第二沟道区的正上方。

在一些实施例中，所述阵列基板还包括：层间介质层，设置于所述第二栅绝缘层背离所述第一栅绝缘层的一侧，且覆盖所述氧化物有源层；第二金属层，设置于所述层间介质层背离所述第二栅绝缘层的一侧；其中，所述第二金属层经一次光罩工艺形成间隔设置的第二源极、第二漏极、第一导电层以及第二导电层；所述第二源极和所述第二漏极分别通过第二接触孔与所述第二沟道区两侧的所述第二掺杂区连接，所述第一导电层和所述第二导电层分别通过第三接触孔与所述第一源极和所述第一漏极连接；所述第二接触孔贯穿所述第一栅绝缘层、所述第二栅绝缘层以及所述层间介质层；所述第三接触孔贯穿所述第二栅绝缘层以及所述层间介质层，所述第二接触孔和所述第三接触孔由同一光罩工艺形成。

在一些实施例中，所述第二金属层还包括与所述第二源极、所述第二漏极、所述第一导电层以及所述第二导电层在同一光罩工艺下形成的上极板层，且所述上极板层与所述第二源极、所述第二漏极、所述第一导电层以及所述第二导电层均间隔设置；其中，所述上极板层与所述第一源极的延伸部分或所述第一漏极的延伸部分对应设置，以与所述第一源极的延伸部分或所述第一漏极的延伸部分配合形成所述存储电容。