[发明专利]一种应用于OLED超高解析图案化黄光工艺流程在审
| 申请号： | 202310749884.X | 申请日： | 2023-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN116669515A | 公开（公告）日： | 2023-08-29 |
| 发明（设计）人： | 林进志;曹绪文;晋芳铭;张良睿;郭瑞 | 申请（专利权）人： | 深圳市芯视佳半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H10K71/20 | 分类号： | H10K71/20;H10K71/00;H10K59/35;H10K59/10;G03F7/095;G03F7/16 |
| 代理公司： | 芜湖安汇知识产权代理有限公司 34107 | 代理人： | 曹政 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市龙华区大浪*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 应用于 oled 超高 解析 图案 化黄光 工艺流程 | ||
1.一种应用于OLED超高解析图案化黄光工艺流程，其特征在于，包括如下步骤：
1)架构基板；
2)利用旋涂机旋涂第一层光阻成膜；
3)利用旋涂机旋涂第二层光阻成膜；
4)利用曝光机将欲开孔区域进行曝光；
5)利用显影设备将欲开孔区域进行开孔；
6)利用蒸镀成膜设备将发光材料进行成膜；
7)利用剥离材料将所有光阻进行剥离；
8)重复上述1)～8)步骤工艺；
9)完成RGB三颜色器件成膜。
2.如权利要求1所述的应用于OLED超高解析图案化黄光工艺流程，其特征在于，上述第2)步中，旋涂机转速：1000ppm/s，旋转时间：30sec。
3.如权利要求1所述的应用于OLED超高解析图案化黄光工艺流程，其特征在于，上述第2)步中，第一层光阻成膜厚度0.5～2um。
4.如权利要求1所述的应用于OLED超高解析图案化黄光工艺流程，其特征在于，上述第3)步中，旋涂机转速：1000ppm/s，旋转时间：30sec。
5.如权利要求1所述的应用于OLED超高解析图案化黄光工艺流程，其特征在于，上述第3)步中，第二层光阻成膜厚度0.5～2um。
6.如权利要求1所述的应用于OLED超高解析图案化黄光工艺流程，其特征在于，上述第4)步中，曝光机能量密度为270mJ/cm2，曝光时间4sec。
7.如权利要求1所述的应用于OLED超高解析图案化黄光工艺流程，其特征在于，上述第5)步中，开孔时间为30sec。
8.如权利要求1所述的应用于OLED超高解析图案化黄光工艺流程，其特征在于，上述第7)步中，剥离材料浸润时间为5～10min。
9.如权利要求1所述的应用于OLED超高解析图案化黄光工艺流程，其特征在于，上述第3)步中，旋涂机能够旋涂多于2层的光阻成膜。
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