[发明专利]一种应用于OLED超高解析图案化黄光工艺流程

说明书

本发明公开了一种应用于OLED超高解析图案化黄光工艺流程，包括如下步骤：1)架构基板；2)利用旋涂机旋涂第一层光阻成膜；3)利用旋涂机旋涂第二层光阻成膜；4)利用曝光机将欲开孔区域进行曝光；5)利用显影设备将欲开孔区域进行开孔；6)利用蒸镀成膜设备将发光材料进行成膜；7)利用剥离材料将所有光阻进行剥离；8)重复上述1)～8)步骤工艺；9)完成RGB三颜色器件成膜，将进行结构设计将现行单层光阻设计成至少2层光阻设计，此种结构设计将大幅减低剥离光阻异常现象，工艺容错率将提高许多。

技术领域

本发明属于OLED技术领域，尤其涉及一种应用于OLED超高解析图案化黄光工艺流程。

背景技术

在实现本发明的过程中，发明人发现现有技术至少存在以下问题：

现有OLED RGB图案化工艺方式大致分为两大技术方向，透过两种工艺模式将RGB像素图案化至目标基板上。其中Shadow mask工艺应用将RGB像素图案化，而黄光工艺应用将RGB像素图案化。现行以黄光工艺将RGB像素图案化方式多为使用1层光阻架构，但由于使用此种黄光工艺，每做一种颜色都需执行一次上光阻/曝光/显影流程，之后再将颜色器件制作上去，再执行剥离材料将所有光阻进行剥离，因此执行三种颜色就需进行三次所有光阻剥离。但剥离材料特性只会对光阻有反应并将其剥离如图，但却不对器件材料产生影响.所以一旦器件材料在制作过程中如全覆盖至光阻，那将产生无法顺利剥离现象发生，如此将产生不良率。因此为防止因无法剥离光阻异常现象发生，一般工艺做法是在进行上光阻/曝光/显影流程中将光阻成形时设计为有一倒角形状，避免发光器件成膜时将光阻全覆盖，造成后制程进行时剥离溶剂无法剥离光阻现象发生。这种单层光阻设计方式是目前解决剥离光阻异常现象发生方式，但因真正执行时往往取决仅一次上光阻/曝光/显影流程去制作出光阻成形的倒角模式，如没制作此一形状将难以再透过后续流程再进行倒角形状，因此失败机会仍是存在，所以在工艺容错率将是非常低的(process window小)。

CN101288172A-将OLED器件电极和光学材料图案化，公开了一种制造具有多个OLED器件的OLED显示器的方法，包括在基板上提供多个OLED器件，这些OLED器件分享共用透光电极；在该共用透光电极上形成图案化导电层结构以限定与一个或多个OLED器件的发射区域对准的孔；并在一个或多个孔中提供光学材料。也无法解决上述技术问题。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种应用于OLED超高解析图案化黄光工艺流程，将进行结构设计将现行单层光阻设计成至少2层光阻设计，此种结构设计将大幅减低剥离光阻异常现象，工艺容错率将提高许多。

为了解决上述技术问题，本发明所采用的技术方案是：一种应用于OLED超高解析图案化黄光工艺流程，包括如下步骤：

1)架构基板；

2)利用旋涂机旋涂第一层光阻成膜；

3)利用旋涂机旋涂第二层光阻成膜；

4)利用曝光机将欲开孔区域进行曝光；

5)利用显影设备将欲开孔区域进行开孔；

6)利用蒸镀成膜设备将发光材料进行成膜；

7)利用剥离材料将所有光阻进行剥离；

8)重复上述1)～8)步骤工艺；

9)完成RGB三颜色器件成膜。

上述第2)步中，旋涂机转速：1000ppm/s，旋转时间：30sec。

上述第2)步中，第一层光阻成膜厚度0.5～2um。

上述第3)步中，旋涂机转速：1000ppm/s，旋转时间：30sec。

上述第3)步中，第二层光阻成膜厚度0.5～2um。