[发明专利]一种半导体器件制备方法及半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件制备方法，其特征在于，包括：

提供基底；

刻蚀所述基底形成多个沟槽；

制备第一氧化硅层，所述第一氧化硅层包括位于所述基底表面的第一氧化硅分部以及位于所述沟槽内的第二氧化硅分部；所述第一氧化硅层的厚度小于所述沟槽的深度；

在所述第一氧化硅层远离所述基底的一侧制备牺牲结构；

去除所述牺牲结构以及所述第一氧化硅分部，以暴露出所述第二氧化硅分部和所述基底；

制备第二氧化硅层，所述第二氧化硅层包括位于所述基底表面的第三氧化硅分部以及位于所述沟槽内的第四氧化硅分部，所述第四氧化硅分部以及所述第二氧化硅分部填充所述沟槽。

2.根据权利要求1所述的半导体器件制备方法，其特征在于，去除所述牺牲结构以及所述第一氧化硅分部，以暴露出所述第二氧化硅分部和所述基底，包括：

去除位于所述沟槽之外的所述牺牲结构以及所述第一氧化硅分部以暴露所述基底；

去除位于所述沟槽内的所述牺牲结构以暴露出所述第二氧化硅分部。

3.根据权利要求2所述的半导体器件制备方法，其特征在于，去除位于所述沟槽之外的所述牺牲结构以及所述第一氧化硅分部以暴露所述基底，包括：

采用化学机械剖光工艺去除位于所述沟槽之外的所述牺牲结构以及所述第一氧化硅分部以暴露所述基底；

去除位于所述沟槽内的所述牺牲结构以暴露出所述第二氧化硅分部，包括：

采用湿法刻蚀工艺去除位于所述沟槽内的所述牺牲结构以暴露出所述第二氧化硅分部。

4.根据权利要求3所述的半导体器件制备方法，其特征在于，采用湿法刻蚀工艺去除位于所述沟槽内的所述牺牲结构，包括：

采用H₂SO₄：H₂O₂体积比为V，温度为T，时间为S的湿法工艺去除位于所述沟槽内的所述牺牲结构；

其中，2：1≤V≤8：1，100℃≤T≤190℃，3min≤S≤5min。

5.根据权利要求1所述的半导体器件制备方法，其特征在于，刻蚀所述基底形成沟槽之后，还包括：

在所述沟槽侧壁沉积氧化物。

6.根据权利要求1所述的半导体器件制备方法，其特征在于，所述沟槽包括第一边缘以及第二边缘，所述第一边缘沿所述基底的厚度方向延伸，所述第二边缘沿多个所述沟槽的排列方向延伸；所述第一边缘的长度为L1，所述第二边缘的长度为L2；其中，L1/L2≥10。

7.根据权利要求5所述的半导体器件制备方法，其特征在于，沿所述基底的厚度方向，所述第二氧化硅分部的厚度为L3；

其中，20％≤L3/L1≤50％。

8.根据权利要求1所述的半导体器件制备方法，其特征在于，所述牺牲结构包括碳涂层。

9.根据权利要求1所述的半导体器件制备方法，其特征在于，所述基底包括叠层设置的硅基底层、氧化层和氮化层；

所述硅基底层的刻蚀深度为L4；其中，2900A≤L4≤4000A；

所述氮化层的厚度为L5，所述氧化层的厚度为L6；其中，1500A≤L5≤2000A，100A≤L6≤150A。

10.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包含使用权利要求1-9中任一项所述的半导体器件制备方法。