[发明专利]显示面板、包含其的拼接显示装置及其制造方法在审
申请号: | 202310793357.9 | 申请日: | 2023-06-30 |
公开(公告)号: | CN116598330A | 公开(公告)日: | 2023-08-15 |
发明(设计)人: | 许意悦;陈冠勋;王胜进 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/54;G09F9/33 |
代理公司: | 北京市立康律师事务所 11805 | 代理人: | 马砚花;梁挥 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 包含 拼接 显示装置 及其 制造 方法 | ||
本发明提供一种显示面板,具有相邻的显示区及外引脚接线区,且包括:电路基板、多个发光元件、封装层以及密封层。电路基板具有相对的上表面及下表面、以及连接上表面与下表面的第一侧面,且第一侧面从显示区延伸至外引脚接线区。多个发光元件设置于显示区,且位于电路基板上。封装层设置于显示区,且位于电路基板上及多个发光元件之间,其中封装层的第一端面与电路基板的第一侧面齐边。密封层覆盖电路基板的第一侧面及封装层的第一端面。此外,还提出一种包含上述显示面板的拼接显示装置以及上述显示面板的制造方法。
相关申请的交叉引用
本发明要求于2023年3月17日提交的台湾专利申请No.112109993的优先权,为了所有目的通过引用将所述专利申请并入本文,如同在此完全阐述一样。
技术领域
本发明是有关于一种光电装置及其制造方法,且特别是有关于一种显示面板、包含其的拼接显示装置及其制造方法。
背景技术
微型发光二极管(Micro-LED)显示装置具有省电、高效率、高亮度及反应时间快等优点。由于微型发光二极管的尺寸极小,目前制作微型发光二极管显示装置的方法是采用巨量转移(Mass Transfer)技术,亦即利用微机电阵列技术进行微型发光二极管晶粒取放,以将大量的微型发光二极管晶粒一次搬运到电路基板上。
然而,由于巨量转移技术的良率仍有待提升,目前的一种作法是先制造小尺寸的显示面板,再将显示面板拼接成大尺寸的显示装置。为了实现无缝拼接的结构,显示面板的整个显示面皆为有效区,因此封装层必须具有相当高的厚度均匀性,这对于封装制程来说相当严苛。再者,封装结构为多层的设计,在经过高温高湿的可靠度测试之后,时常出现层间剥离(peeling)的状况,甚至还可能会影响电路的连接,导致可靠度不佳。
发明内容
本发明的主要目的,在于提供一种显示面板,具有提高的可靠度。
本发明提供一种拼接显示装置,具有提高的可靠度。
本发明提供一种显示面板的制造方法,能够提高封装层的厚度均匀性。
本发明的一个实施例提出一种显示面板,具有相邻的显示区及外引脚接线区,且包括:电路基板、多个发光元件、封装层以及密封层。电路基板具有相对的上表面及下表面、以及连接上表面与下表面的第一侧面,且第一侧面从显示区延伸至外引脚接线区。多个发光元件设置于显示区,且位于电路基板上。封装层设置于显示区,且位于电路基板上及多个发光元件之间,其中封装层的第一端面与电路基板的第一侧面齐边。密封层覆盖电路基板的第一侧面及封装层的第一端面。
在本发明的一实施例中,上述的封装层的高度小于或等于发光元件的高度。
在本发明的一实施例中,上述的封装层的厚度为5μm至10μm,且封装层的OD值大于或等于3,密封层的OD值大于或等于2。
在本发明的一实施例中,上述的封装层的高度大于发光元件的高度。
在本发明的一实施例中,上述的封装层的透光率大于或等于80%,且密封层的透光率大于或等于80%。
在本发明的一实施例中,上述的密封层从第一侧面的位于显示区的部分延伸至第一侧面的位于外引脚接线区的部分。
在本发明的一实施例中,上述的显示面板还包括芯片接合薄膜,设置于外引脚接线区,且电连接电路基板。
在本发明的一实施例中,上述的显示面板还包括保护胶,位于外引脚接线区,且覆盖芯片接合薄膜。
在本发明的一实施例中,上述的保护胶的材料不同于封装层的材料。
在本发明的一实施例中,上述的保护胶覆盖电路基板的位于外引脚接线区的第二侧面,且第二侧面邻接第一侧面。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的