[发明专利]掺杂浓度测量方法、装置、电子设备及存储介质

说明书

本申请属于测量掺杂浓度的技术领域，公开了一种掺杂浓度测量方法、装置、电子设备及存储介质，该方法包括：步骤S101，获取测量点的数量和位置坐标，步骤S102，根据数量和位置坐标，对测量点进行拍照，得到测量点的位置图片，步骤S103，基于位置图片，对测量点进行坐标修正，得到修正坐标后的测量点，步骤S104，对修正坐标后的测量点进行测量，得到修正坐标后的测量点的掺杂浓度数据，通过测量修正坐标后的测量点的掺杂浓度，以获取测量点的掺杂浓度，提高了掺杂浓度的测量效率。

技术领域

本申请涉及测量掺杂浓度的技术领域，具体而言，涉及一种掺杂浓度测量方法、装置、电子设备及存储介质。

背景技术

掺杂浓度均匀性是评价半导体外延片质量的一个重要技术指标，掺杂浓度均匀性不佳会导致器件电学参数的波动范围过大，对器件性能造成不利影响。通过测量半导体外延片的掺杂浓度分布，可以帮助工艺人员判断工艺改进方向，合理调整工艺参数。

相比于传统硅半导体，第三代半导体的外延工艺技术难度大且技术相对不成熟，外延片表面往往存在较多缺陷，例如掉落物、三角形缺陷、胡萝卜缺陷、基平面位错、螺位错、堆垛层错等。当汞探针CV测试仪的测试点范围中存在缺陷时，容易导致掺杂浓度测试不准确，测试值严重偏离正常值，导致测试数据异常。一方面，为了保证测试数据的完整性，工艺人员需要避开缺陷区域，在测试异常点（存在缺陷信息的区域）附近重新选取测试点、计算坐标并输入软件、测量掺杂浓度，上述过程导致测试时间延长，严重降低测试效率。另一方面，由于汞探针CV测试过程需要液态汞与半导体表面接触，因此不可避免造成汞污染，如果测量异常点数量过多，不仅会对外延片表面造成过多的汞污染并提高后续清洗处理难度，还会导致毛细管中的液态汞被缺陷污染（例如表面颗粒、玷污等），进而降低汞探针CV测试仪的测试结果的可靠性。

因此，为了解决现有的掺杂浓度测量方法在检测到存在缺陷的测量点时会导致掺杂浓度测量不准确的技术问题，亟需一种掺杂浓度测量方法、装置、电子设备及存储介质。

发明内容

本申请的目的在于提供一种掺杂浓度测量方法、装置、电子设备及存储介质，通过测量修正坐标后的测量点的掺杂浓度，以获取测量点的掺杂浓度，解决现有的掺杂浓度测量方法在检测到存在缺陷的测量点时会导致掺杂浓度测量不准确的问题，通过预先判断避开测量点的缺陷区域，减少无效测量导致的时间成本浪费，提高了掺杂浓度的测量效率。

第一方面，本申请提供了一种掺杂浓度测量方法，用于对测量点的掺杂浓度进行测量，包括步骤：

S101，获取测量点的数量和位置坐标；

S102，根据所述数量和所述位置坐标，对测量点进行拍照，得到所述测量点的位置图片；

S103，基于所述位置图片，对所述测量点进行坐标修正，得到修正坐标后的测量点；

S104，对所述修正坐标后的测量点进行测量，得到所述修正坐标后的测量点的掺杂浓度数据。

本申请提供的掺杂浓度测量方法可以实现对测量点的掺杂浓度进行测量，通过测量修正坐标后的测量点的掺杂浓度，以获取测量点的掺杂浓度，解决现有的掺杂浓度测量方法在检测到存在缺陷的测量点时会导致掺杂浓度测量不准确的问题，通过预先判断避开测量点的缺陷区域，减少无效测量导致的时间成本浪费，提高了掺杂浓度的测量效率。

可选地，所述步骤S103包括：

A1，判断所述位置图片是否存在缺陷信息；若是，执行步骤A2；若否，执行步骤A3；

A2，对存在缺陷信息的位置图片对应测量点的位置坐标进行修正，并选择修正后的位置坐标对应的位置图片作为待判断位置图片，返回执行步骤A1；

A3，确定不存在缺陷信息的位置图片对应的测量点为所述修正坐标后的测量点。

本申请提供的掺杂浓度测量方法可以实现对测量点的掺杂浓度进行测量，通过对存在缺陷信息的测量点进行坐标修正，得到相对正常的测量点，对相对正常的测量点进行掺杂浓度，有利于提高掺杂浓度的测量效率。