[发明专利]光刻掩膜版中曝光图形的确定方法、系统及制作方法

权利要求书

1.一种光刻掩膜版中曝光图形的确定方法，其特征在于，所述方法包括：

获取第一光刻掩膜版中第一图形区域的第一位置信息，其中，所述第一图形区域包括多个第一曝光图形，多个所述第一曝光图形用于在目标基体中的第一材料层上形成第一对位标记；

获取第二图形区域在第二光刻掩膜版中的第二位置信息，其中，所述第二图形区域包括多个第二曝光图形，多个所述第二曝光图形用于在所述目标基体中的第二材料层上形成第二对位标记，所述目标基体具有第一表面，所述第一对位标记与所述第二对位标记在所述第一表面上投影不重叠；

至少根据所述第一位置信息和所述第二位置信息，确定第三图形区域在第三光刻掩膜版中的目标位置信息，其中，所述第三光刻掩膜版用于通过所述第三图形区域同时与所述第一对位标记和所述第二对位标记进行对位，所述第三图形区域包括多个第三曝光图形，多个所述第三曝光图形用于在所述目标基体中的第三材料层上形成第三对位标记。

2.根据权利要求1所述的确定方法，其特征在于，所述获取第一光刻掩膜版中第一图形区域的第一位置信息，包括：

确定多个所述第一曝光图形在参考坐标系中的第一坐标范围集合；

将所述第一坐标范围集合生成所述第一位置信息。

3.根据权利要求2所述的确定方法，其特征在于，所述获取第二图形区域在第二光刻掩膜版中的第二位置信息，包括：

确定多个所述第二曝光图形在所述参考坐标系中的第二坐标范围集合；

将所述第二坐标范围集合生成所述第二位置信息。

4.根据权利要求3所述的确定方法，其特征在于，所述至少根据所述第一位置信息和所述第二位置信息，确定第三图形区域在第三光刻掩膜版中的目标位置信息，包括：

获取多个所述第三曝光图形在所述参考坐标系中的初始坐标范围集合；

根据所述第一坐标范围集合和所述第二坐标范围集合，确定平均坐标范围集合，其中，所述平均坐标范围集合中的每个平均坐标值用于表征一个第一曝光图形与相邻的一个第二曝光图形的平均位置信息；

根据所述平均坐标范围集合和所述初始坐标范围集合，确定所述第三图形区域在所述第三光刻掩膜版中的所述目标位置信息。

5.根据权利要求4所述的确定方法，其特征在于，所述根据所述第一坐标范围集合和所述第二坐标范围集合，确定平均坐标范围集合，包括：

从所述第一坐标范围集合中筛选出多个第一目标坐标范围，其中，所述第一图形区域包括多个第一曝光单元，每个第一曝光单元包括沿第一方向或第二方向排列的多个所述第一曝光图形，多个所述第一目标坐标范围为每个所述第一曝光单元中互不相邻的多个第一曝光图形的坐标范围；

根据多个所述第一目标坐标范围，从所述第二坐标范围集合中筛选出多个第二目标坐标范围，其中，所述第二图形区域包括多个第二曝光单元，每个第二曝光单元包括沿第一方向或第二方向排列的多个所述第二曝光图形，多个所述第二目标坐标范围为每个所述第二曝光单元中互不相邻的多个第二曝光图形的坐标范围，多个所述第二目标坐标范围与多个所述第一目标坐标范围不重叠；

确定第一目标曝光图形的几何中心的第一坐标值，其中，所述第一目标曝光图形为与所述第一目标坐标范围对应的第一曝光图形；

确定第二目标曝光图形的几何中心的第二坐标值，其中，所述第二目标曝光图形为与所述第二目标坐标范围对应的第二曝光图形；

计算所述第一坐标值与所述第二坐标值的平均坐标值，得到平均坐标值。

6.根据权利要求5所述的确定方法，其特征在于，所述根据所述平均坐标范围集合和所述初始坐标范围集合，确定第三图形区域在第三光刻掩膜版中的目标位置信息，包括：

根据所述平均坐标范围集合和所述初始坐标范围集合，确定所述目标位置信息，其中，所述目标位置信息包括与每个所述第三曝光图形的几何中心对应的目标坐标值，所述目标坐标值与所述平均坐标值一一对应，每个所述目标坐标值与对应的所述平均坐标值间距相同。