[发明专利]光刻掩膜版中曝光图形的确定方法、系统及制作方法

说明书

本发明公开了一种光刻掩膜版中曝光图形的确定方法、系统及制作方法。该方法包括：获取第一光刻掩膜版中第一图形区域的第一位置信息，第一图形区域包括多个第一曝光图形，用于在第一材料层上形成第一对位标记；获取第二图形区域在第二光刻掩膜版中的第二位置信息，第二图形区域包括多个第二曝光图形，用于在第二材料层上形成第二对位标记，第一对位标记与第二对位标记在目标基体的垂直投影不重叠；至少根据第一位置信息和第二位置信息，确定第三图形区域在第三光刻掩膜版中的目标位置信息，第三光刻掩膜版用于通过第三图形区域同时与第一对位标记和第二对位标记对位，第三图形区域包括多个第三曝光图形，用于在第三材料层上形成第三对位标记。

技术领域

本发明涉及集成电路制造技术领域，具体而言，涉及一种光刻掩膜版中曝光图形的确定方法、确定装置、光刻系统、对位标记的制作方法及导电插塞的制作方法。

背景技术

集成电路制造在不断发展，器件的特征尺寸随之也不断减小，使得在光有不断缩小的特征尺寸的同时，还需要提高光刻工艺的套准精度。其中，套准精度（OVL，Overlay）是整个制程中当前层与前层的叠对精度，是光刻机的重要性能指标之一，如果套准精度超过误差容忍度，那么前层和当前层的层间设计电路就可能会发生偏移，导致前层和当前层短路或断路，从而影响器件产品的良率和性能。

另外，在现行曝光机的对准工艺上其对准系统与套刻精度OVL Mark设计上都是只能支持单层对单层的补正，因此，如果在需要当前层同时对准前两层的情况下，如果前两层本身互相之间已经存在套刻精度的偏差，从而使得当前层与前两层中的任意一层对准的情况下，该当前层与前两层中的另一层也存在套刻精度的偏差，最终导致形成的产品层间布线接触不良，导致严重的泄电问题。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种光刻掩膜版中曝光图形的确定方法、确定装置、光刻系统、对位标记的制作方法及导电插塞的制作方法，以解决现有技术中层间套刻精度存在偏差导致的泄电的问题。

为了实现上述目的，根据本发明的一个方面，提供了一种光刻掩膜版中曝光图形的确定方法，该方法包括：获取第一光刻掩膜版中第一图形区域的第一位置信息，其中，第一图形区域包括多个第一曝光图形，多个第一曝光图形用于在目标基体中的第一材料层上形成第一对位标记；获取第二图形区域在第二光刻掩膜版中的第二位置信息，其中，第二图形区域包括多个第二曝光图形，多个第二曝光图形用于在目标基体中的第二材料层上形成第二对位标记，目标基体具有第一表面，第一对位标记与第二对位标记在第一表面上投影不重叠；至少根据第一位置信息和第二位置信息，确定第三图形区域在第三光刻掩膜版中的目标位置信息，其中，第三光刻掩膜版用于通过第三图形区域同时与第一对位标记和第二对位标记进行对位，第三图形区域包括多个第三曝光图形，多个第三曝光图形用于在目标基体中的第三材料层上形成第三对位标记。

可选地，获取第一光刻掩膜版中第一图形区域的第一位置信息，包括：确定多个第一曝光图形在参考坐标系中的第一坐标范围集合；将第一坐标范围集合生成第一位置信息。

可选地，获取第二图形区域在第二光刻掩膜版中的第二位置信息，包括：确定多个第二曝光图形在参考坐标系中的第二坐标范围集合；将第二坐标范围集合生成第二位置信息。

可选地，至少根据第一位置信息和第二位置信息，确定第三图形区域在第三光刻掩膜版中的目标位置信息，包括：获取多个第三曝光图形在参考坐标系中的初始坐标范围集合；根据第一坐标范围集合和第二坐标范围集合，确定平均坐标范围集合，其中，平均坐标范围集合中的每个平均坐标值用于表征一个第一曝光图形与相邻的一个第二曝光图形的平均位置信息；根据平均坐标范围集合和初始坐标范围集合，确定第三图形区域在第三光刻掩膜版中的第一位置信息。