[发明专利]一种高压下TBU器件的漏电测试电路有效
| 申请号： | 202310823756.5 | 申请日： | 2023-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN116540148B | 公开（公告）日： | 2023-09-05 |
| 发明（设计）人： | 梁媛媛;赵国情;徐旭;葛俊吉;夏冰 | 申请（专利权）人： | 江苏展芯半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/52 | 分类号： | G01R31/52 |
| 代理公司： | 常州众慧之星知识产权代理事务所(普通合伙) 32458 | 代理人： | 郭云梅 |
| 地址： | 210012 江苏省南京市雨花台*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 压下 tbu 器件 漏电 测试 电路 | ||
1. 一种高压下TBU器件的漏电测试电路，其特征在于，包括第一电源、第二电源、第一电容，第一开关管与第二开关管，所述第一电源的正极连接所述第一开关管的阳极，所述第一开关管的阴极连接TBU器件的第一端，所述第二电源的正极连接所述TBU器件的第一端，所述第一电源的负极接地，所述TBU器件的第二端接地，所述第二电源的负极接地，所述第一电容并联在所述第一电源两端，所述第一开关管的门极连接所述第二开关管的集电极，所述第二开关管的集电极接地，所述第二开关管的发射极连接第三电源，所述第二开关管的基极连接第一端口，所述第一端口连接TTL电平信号，所述第一电源的电压小于所述第二电源的电压，所述第一电源为所述第一电容充电后，应使得所述第一电容放电的电流能让TBU 器件进入小电流阶段。
2.如权利要求1所述一种高压下TBU器件的漏电测试电路，其特征在于，还包括第一二极管，所述第一二极管的阴极连接所述第一开关管的门极，所述第一二极管的阳极连接所述第二开关管的集电极。
3.如权利要求2所述一种高压下TBU器件的漏电测试电路，其特征在于，还包括第一电阻，所述第一电阻的第一端连接所述第一电源的正极，所述第一电阻的第二端连接所述第一开关管的阳极。
4.如权利要求3所述一种高压下TBU器件的漏电测试电路，其特征在于，还包括第二电阻，所述第二电阻的第一端连接所述第一二极管的阳极，所述第二电阻的第二端连接所述第二开关管的集电极。
5.如权利要求4所述一种高压下TBU器件的漏电测试电路，其特征在于，还包括第三电阻，所述第三电阻的第一端连接所述第二开关管的集电极，所述第三电阻的第二端接地。
6.如权利要求5所述一种高压下TBU器件的漏电测试电路，其特征在于，还包括第四电阻，所述第四电阻的第一端连接所述第三电源，所述第四电阻的第二端连接所述第二开关管的基极。
7.如权利要求6所述一种高压下TBU器件的漏电测试电路，其特征在于，还包括第五电阻，所述第五电阻的第一端连接所述第四电阻的第二端，所述第五电阻的第二端连接所述第一端口。
8.如权利要求1所述一种高压下TBU器件的漏电测试电路，其特征在于，所述第一开关管为一晶闸管。
9.如权利要求1所述一种高压下TBU器件的漏电测试电路，其特征在于，所述第二开关管为一PNP型三极管。
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