[发明专利]一种高压下TBU器件的漏电测试电路有效
申请号: | 202310823756.5 | 申请日: | 2023-07-06 |
公开(公告)号: | CN116540148B | 公开(公告)日: | 2023-09-05 |
发明(设计)人: | 梁媛媛;赵国情;徐旭;葛俊吉;夏冰 | 申请(专利权)人: | 江苏展芯半导体技术有限公司 |
主分类号: | G01R31/52 | 分类号: | G01R31/52 |
代理公司: | 常州众慧之星知识产权代理事务所(普通合伙) 32458 | 代理人: | 郭云梅 |
地址: | 210012 江苏省南京市雨花台*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 压下 tbu 器件 漏电 测试 电路 | ||
本发明公开了一种高压下TBU器件的漏电测试电路,属于漏电测试技术领域,包括第一电源、第二电源、第一电容,第一开关管与第二开关管,所述第一电源的正极连接所述第一开关管的阳极,所述第一开关管的阴极连接TBU器件的第一端,所述第二电源的正极连接所述TBU器件的第一端,所述第一电源的负极接地,所述TBU器件的第二端接地,所述第二电源的负极接地,所述第一电容并联在所述第一电源两端,所述第一开关管的门极连接所述第二开关管的集电极,所述第二开关管的集电极接地,所述第二开关管的发射极连接第三电源,所述第二开关管的基极连接第一端口,所述第一端口连接TTL电平信号。本发明一种高压下TBU器件的漏电测试电路结构简单,易于实现。
技术领域
本发明涉及漏电测试技术领域,且特别是有关于一种高压下TBU器件的漏电测试电路。
背景技术
TBU高速保护器作为一种过流保护器件,由于其能够将主要能量阻绝在外、反应速度很快、阻绝高压、没有电容磁的问题、设计方便等优点,在通讯、医疗、工业、消费电子等领域的应用越来越广泛。
TBU器件具有在低电压下电流较大,高电压下电流较小的特性,如Bourns公司的型号为TBU-CA085-200-WH的器件,其VI曲线如图1所示,在低电压下的电流数值为200mA-400mA,在高电压下的电流数值在1mA左右,其中,区域S1为大电流阶段,区域S2为小电流阶段。
目前市面上的高压电源限流点都较低,如型号为Keithley 2657A的电源,在1500V以下的限流点为120mA,小于TBU器件在低电压下的最小电流200mA,如果直接在TBU器件两端接上高压电源,当高压电源电压从低到高上升时,高压电源的电流被限制在120mA,导致TBU器件两端的电压无法加到设定的高压值,因此无法测量TBU器件在高压下的漏电大小。
发明内容
为解决上述问题,本发明提供一种高压下TBU器件的漏电测试电路。
为达到上述目的,本发明技术方案是:
一种高压下TBU器件的漏电测试电路,包括第一电源、第二电源、第一电容,第一开关管与第二开关管,所述第一电源的正极连接所述第一开关管的阳极,所述第一开关管的阴极连接TBU器件的第一端,所述第二电源的正极连接所述TBU器件的第一端,所述第一电源的负极接地,所述TBU器件的第二端接地,所述第二电源的负极接地,所述第一电容并联在所述第一电源两端,所述第一开关管的门极连接所述第二开关管的集电极,所述第二开关管的集电极接地,所述第二开关管的发射极连接第三电源,所述第二开关管的基极连接第一端口,所述第一端口连接TTL电平信号。
上述第一电源的电压小于所述第二电源的电压。
在一具体实施例中,上述一种高压下TBU器件的漏电测试电路,还包括第一二极管,所述第一二极管的阴极连接所述第一开关管的门极,所述第一二极管的阳极连接所述第二开关管的集电极。
在一具体实施例中,上述一种高压下TBU器件的漏电测试电路,还包括第一电阻,所述第一电阻的第一端连接所述第一电源的正极,所述第一电阻的第二端连接所述第一开关管的阳极。
在一具体实施例中,上述一种高压下TBU器件的漏电测试电路,还包括第二电阻,所述第二电阻的第一端连接所述第一二极管的阳极,所述第二电阻的第二端连接所述第二开关管的集电极。
在一具体实施例中,上述一种高压下TBU器件的漏电测试电路,还包括第三电阻,所述第三电阻的第一端连接所述第二开关管的集电极,所述第三电阻的第二端接地。
在一具体实施例中,上述一种高压下TBU器件的漏电测试电路,还包括第四电阻,所述第四电阻的第一端连接所述第三电源,所述第四电阻的第二端连接所述第二开关管的基极。
在一具体实施例中,上述一种高压下TBU器件的漏电测试电路,还包括第五电阻,所述第五电阻的第一端连接所述第四电阻的第二端,所述第五电阻的第二端连接所述第一端口。
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