[发明专利]射频类的芯片封装结构及方法在审
| 申请号： | 202310882531.7 | 申请日： | 2023-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN116613132A | 公开（公告）日： | 2023-08-18 |
| 发明（设计）人： | 李文学 | 申请（专利权）人： | 青岛泰睿思微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495;H01L23/31;H01L23/48;H01L23/482;H01L21/56;H01L21/60;H01L21/50;H01L21/78 |
| 代理公司： | 上海唯源专利代理有限公司 31229 | 代理人： | 宋小光 |
| 地址： | 266221 山东省青*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 射频 芯片 封装 结构 方法 | ||
1.一种射频类的芯片封装结构，其特征在于，包括：
内部形成有基岛的框架，所述框架的侧部设有引脚，且所述引脚和所述基岛相对的侧面形成有一斜面和一竖向面，所述斜面与所述引脚和所述基岛的顶面连接，且所述斜面与对应的竖向面间的夹角大于90°；
芯片，其上设有铜柱，所述芯片通过所述铜柱与所述基岛和所述引脚连接；
设于所述基岛和所述引脚之上并包覆所述芯片的塑封结构，所述塑封结构还设于所述基岛和所述引脚之间。
2.如权利要求1所述的射频类的芯片封装结构，其特征在于，所述基岛和所述引脚的顶面对应所述芯片上的铜柱设有定位槽。
3.如权利要求1所述的射频类的芯片封装结构，其特征在于，所述芯片内设有重布线层，所述重布线层与所述铜柱连接。
4.如权利要求1所述的射频类的芯片封装结构，其特征在于，所述基岛和所述引脚的竖向面的高度大于形成所述塑封结构的塑封颗粒的粒径。
5.如权利要求1所述的射频类的芯片封装结构，其特征在于，所述框架上设有镍钯金涂层。
6.如权利要求1所述的射频类的芯片封装结构，其特征在于，所述斜面与所述竖向面间的夹角为135°。
7.一种射频类的芯片封装方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供晶圆，对所提供的晶圆采用凸点工艺在晶圆的端口处形成铜柱；
对所述晶圆进行背面研磨；
对所述晶圆进行切割以形成多个芯片，所形成的芯片上设有铜柱；
提供框架，所提供的框架上设有基岛和引脚，且所述基岛和引脚相对的侧面形成有一斜面和一竖向面，所述斜面与所述引脚和所述基岛的顶面连接，且所述斜面与对应的竖向面间的夹角大于90°；
将芯片采用倒装芯片工艺贴在所述框架上对应的基岛和引脚上；
对所述框架进行烘烤和清洗；
对所述框架进行塑封以形成包覆所述芯片的塑封结构，所述塑封结构位于对应的基岛和引脚之上，还位于对应的基岛和引脚之间；
对所述框架进行条状切割以形成射频类的芯片封装体。
8.如权利要求7所述的射频类的芯片封装方法，其特征在于，提供框架时，于所提供的框架的引脚和基岛的顶面对应所述芯片上的铜柱施作定位槽。
9.如权利要求7所述的射频类的芯片封装方法，其特征在于，提供框架时，对所提供的框架的底部进行半蚀刻，半蚀刻的深度大于形成所述塑封结构的塑封颗粒的粒径。
10.如权利要求7所述的射频类的芯片封装方法，其特征在于，所述框架上涂覆有镍钯金涂层。
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