[发明专利]一种二极管ESD保护器件、集成电路及电子设备

权利要求书

1.一种二极管ESD保护器件，其特征在于，所述二极管ESD保护器件包括：衬底、第一重掺杂区、第二重掺杂区和第三重掺杂区；

所述衬底具有第一掺杂阱，以及位于所述第一掺杂阱两侧的第二掺杂阱和第三掺杂阱；

所述第一重掺杂区位于所述第一掺杂阱的表面；

所述第二重掺杂区位于所述第二掺杂阱的表面；

所述第三重掺杂区位于所述第三掺杂阱的表面；

其中，所述衬底、所述第一掺杂阱、所述第二重掺杂区和所述第三重掺杂区的掺杂类型为第一掺杂类型，所述第二掺杂阱、所述第三掺杂阱和所述第一重掺杂区的掺杂类型为第二掺杂类型，所述第一掺杂类型和所述第二掺杂类型不同。

2.根据权利要求1所述的二极管ESD保护器件，其特征在于，所述第一重掺杂区与所述第二重掺杂区之间的间距为D1；

所述第一重掺杂区与所述第三重掺杂区之间的间距为D2；

其中，D1=D2。

3.根据权利要求1所述的二极管ESD保护器件，其特征在于，所述第二重掺杂区和所述第三重掺杂区为一体成型结构；

所述第一重掺杂区位于所述一体成型结构所围成的区域内。

4.根据权利要求1所述的二极管ESD保护器件，其特征在于，所述第一掺杂类型为P型掺杂；

所述第二掺杂类型为N型掺杂。

5.根据权利要求1所述的二极管ESD保护器件，其特征在于，所述二极管ESD保护器件还包括：

位于所述第一重掺杂区和所述第二重掺杂区之间的第四重掺杂区；

位于所述第一重掺杂区和所述第三重掺杂区之间的第五重掺杂区；

其中，所述第四重掺杂区和所述第五重掺杂区位于所述第一掺杂阱的表面，所述第四重掺杂区和所述第五重掺杂区的掺杂类型为第一掺杂类型。

6.根据权利要求5所述的二极管ESD保护器件，其特征在于，所述第一重掺杂区连接第一电极；

所述第二重掺杂区、所述第三重掺杂区、所述第四重掺杂区和所述第五重掺杂区连接第二电极，所述第一电极和所述第二电极中其中一个为正极，另一个为负极。

7.根据权利要求5所述的二极管ESD保护器件，其特征在于，所述二极管ESD保护器件还包括：

位于所述第二重掺杂区和所述第四重掺杂区之间的第六重掺杂区；

位于所述第三重掺杂区和所述第五重掺杂区之间的第七重掺杂区；

其中，所述第六重掺杂区部分位于所述第一掺杂阱的表面，部分位于所述第二掺杂阱的表面；所述第七重掺杂区部分位于所述第一掺杂阱的表面，部分位于所述第三掺杂阱的表面；

所述第六重掺杂区和第七重掺杂区的掺杂类型为第二掺杂类型；

所述第六重掺杂区和所述第七重掺杂区浮空。

8.根据权利要求5或7所述的二极管ESD保护器件，其特征在于，所述二极管ESD保护器件还包括：

位于所述第一重掺杂区和所述第四重掺杂区之间，以及位于所述第一重掺杂区和所述第五重掺杂区之间的浅槽隔离结构。

9.根据权利要求7所述的二极管ESD保护器件，其特征在于，所述二极管ESD保护器件还包括：

位于所述第一重掺杂区和所述第四重掺杂区之间、位于所述第一重掺杂区和所述第五重掺杂区之间、位于所述第二重掺杂区远离所述第一重掺杂区一侧的、以及位于所述第三重掺杂区远离所述第一重掺杂区一侧的浅槽隔离结构；

位于所述第二重掺杂区和所述第六重掺杂区之间、位于所述第六重掺杂区和所述第四重掺杂区之间、位于所述第三重掺杂区和所述第七重掺杂区之间、以及位于所述第七重掺杂区和第五重掺杂区之间的浮栅结构；

所述浮栅结构浮空。