[发明专利]嵌入式芯片扇出型封装结构及其制备方法

权利要求书

1.一种嵌入式芯片扇出型封装结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S10、提供基板，在所述基板上开设若干第一通孔和若干设计尺寸大于芯片尺寸的嵌入槽；

S20、将所述基板的第一面贴于临时胶膜上，并将芯片贴于所述嵌入槽内；

S30、在所述基板的第一面和第二面分别制备介电层，并使介电层填充于所述第一通孔内和所述芯片与所述基板之间的间隙内，对所述介电层进行处理，使所述芯片的I/O口外露，制得芯片封装体；

S40、在填充于所述第一通孔内的介电层处开设第二通孔；

S50、将所述芯片的I/O口经所述第二通孔由所述芯片封装体的双面同步电性引出，制得嵌入式芯片扇出型封装结构。

2.根据权利要求1所述的嵌入式芯片扇出型封装结构的制备方法，其特征在于，步骤S20中，所述芯片的I/O口凸出于所述芯片的表面，将所述芯片正面朝上贴于所述嵌入槽内后，步骤S30具体包括以下步骤：

S30a、在所述基板的第二面制备第一介电层；

S30b、对所述第一介电层进行研磨减薄处理，使所述芯片的I/O口外露；

S30c、去除临时胶膜；

S30d、在所述基板的第一面制备第二介电层，制得芯片封装体。

3.根据权利要求1所述的嵌入式芯片扇出型封装结构的制备方法，其特征在于，步骤S20中，所述芯片的I/O口与所述芯片的表面平齐，将所述芯片正面朝上贴于所述嵌入槽内后，步骤S30具体包括以下步骤：

S30a、在所述基板的第二面制备第一介电层；

S30b、对所述第一介电层进行激光开孔处理，使所述芯片的I/O口外露；

S30c、去除临时胶膜；

S30d、在所述基板的第一面制备第二介电层，制得芯片封装体。

4.根据权利要求1所述的嵌入式芯片扇出型封装结构的制备方法，其特征在于，步骤S20中，所述芯片的I/O口与所述芯片的表面平齐，将所述芯片正面朝下贴于所述嵌入槽内时，步骤S30具体包括以下步骤：

S30a、在所述基板的第二面制备第一介电层；

S30b、去除临时胶膜；

S30c、在所述基板的第一面制备第二介电层；

S30d、对所述第二介电层进行激光开孔处理，使所述芯片的I/O口外露，制得芯片封装体。

5.根据权利要求1所述的嵌入式芯片扇出型封装结构的制备方法，其特征在于，步骤S50具体包括以下步骤：

S50a、在芯片封装体的表面以及所述第二通孔内壁制作种子层；

S50b、在芯片封装体表面的种子层上贴感光膜，曝光显影后形成图形化窗口；

S50c、在图形化窗口内及第二通孔内壁制备重布线层；

S50d、去除残留的感光膜并刻蚀掉外露的种子层；

S50e、在所述第二通孔内及制备有重布线层的芯片封装体的双面制备阻焊层并使重布线层的焊盘区外露；

S50f、在重布线层的焊盘区制备镍钯金层，并在镍钯金层植入金属凸块，制得嵌入式芯片扇出型封装结构。

6.根据权利要求1-5任一项所述的嵌入式芯片扇出型封装结构的制备方法，其特征在于，所述基板为BT板、不锈钢板、玻璃材质或FR-3材质。

7.根据权利要求1-5任一项所述的嵌入式芯片扇出型封装结构的制备方法，其特征在于，步骤S40中，采用激光在填充于所述第一通孔内的介电层处开设第二通孔。