[发明专利]嵌入式芯片扇出型封装结构及其制备方法

说明书

本发明公开一种嵌入式芯片扇出型封装结构及其制备方法，涉及集成电路封装技术领域。嵌入式芯片扇出型封装结构的制备方法包括以下步骤：提供基板，在基板上开设若干第一通孔和若干嵌入槽；将基板的第一面贴于临时胶膜上，并将芯片贴于嵌入槽内；在基板的第一面和第二面分别制备介电层，并使介电层填充于第一通孔内和芯片与基板之间的间隙内，并使芯片I/O口外露，制得芯片封装体；在填充于第一通孔内的介电层处开设第二通孔；将芯片的I/O口经第二通孔由芯片封装体的双面同步电性引出，制得嵌入式芯片扇出型封装结构。本发明可以有效提高嵌入式芯片扇出型封装结构的强度，解决大片式芯片封装结构易碎的问题。

技术领域

本发明涉及集成电路封装技术领域，具体涉及一种嵌入式芯片扇出型封装结构及其制备方法。

背景技术

传统的扇出型芯片封装结构的制备方法为：提供临时载板，将芯片通过临时键合胶贴于临时载板上；对芯片进行塑封，形成塑封层；对该塑封层进行开孔和/或研磨处理，使芯片的I/O口外露，同时制得贯穿塑封层的TMV通孔；在塑封层表面和TMV通孔内制作第一线路层；拆键合，即去除临时载板；在塑封层的另一面制作与第一线路层电连接的第二线路层，即可制得双面扇出型芯片封装结构。

上述制备方法仅适用于一个芯片或芯片组（仅具有少数几个芯片）。然而目前有的客户要求的出厂产品为大片式芯片封装结构（几十、几百甚至更多个芯片同时进行扇出型封装），采用上述制备方法时，制得的产品存在易碎的问题。

发明内容

本发明的目的之一在于提供一种嵌入式芯片扇出型封装结构的制备方法，采用该制备方法可以有效提高嵌入式芯片扇出型封装结构的强度，解决大片式芯片封装结构易碎的问题。

本发明的目的之二在于提供一种嵌入式芯片扇出型封装结构的制备方法，通过在填充于第一通孔内的介电层处开设第二通孔，再经该第二通孔将芯片的I/O电性引出，可以有效提高重布线层与介电层之间的结合力，提高了线路稳定性。

为达此目的，本发明采用以下技术方案：

提供一种嵌入式芯片扇出型封装结构的制备方法，包括以下步骤：

S10、提供基板，在所述基板上开设若干第一通孔和若干设计尺寸大于芯片尺寸的嵌入槽；

S20、将所述基板的第一面贴于临时胶膜上，并将芯片贴于所述嵌入槽内；

S30、在所述基板的第一面和第二面分别制备介电层，并使介电层填充于所述第一通孔内和所述芯片与所述基板之间的间隙内，对所述介电层进行处理，使所述芯片的I/O口外露，制得芯片封装体；

S40、在填充于所述第一通孔内的介电层处开设第二通孔；

S50、将所述芯片的I/O口经所述第二通孔由所述芯片封装体的双面同步电性引出，制得嵌入式芯片扇出型封装结构。

与现有技术相比，本方案取消了临时载板的使用，而是采用基板作为补强板，直接将芯片嵌入至补强板中，再从双面将芯片的I/O口同步电性引出，制得高强度的嵌入式芯片扇出型封装结构，解决了大片式芯片封装结构易碎的问题。此外，在填充于第一通孔内的介电层处开设第二通孔，再经该第二通孔将芯片的I/O电性引出，可以有效提高重布线层与介电层之间的结合力，提高了线路稳定性。

进一步地，步骤S40中，采用激光在填充于所述第一通孔内的介电层处开设第二通孔。相比较其他开孔方式，激光开孔效率更高。

作为嵌入式芯片扇出型封装结构的制备方法的优选方案之一，步骤S20中，所述芯片的I/O口凸出于所述芯片的表面，将所述芯片正面朝上贴于所述嵌入槽内后，步骤S30具体包括以下步骤：

S30a、在所述基板的第二面制备第一介电层；

S30b、对所述第一介电层进行研磨减薄处理，使所述芯片的I/O口外露；

S30c、去除临时胶膜；

S30d、在所述基板的第一面制备第二介电层，制得芯片封装体。