[实用新型]一种小功率音频放大芯片抑制电路架构有效
| 申请号： | 202320168893.5 | 申请日： | 2023-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN219305014U | 公开（公告）日： | 2023-07-04 |
| 发明（设计）人： | 靳怡;马宁;程金传;王金权 | 申请（专利权）人： | 广州蓝深科技有限公司 |
| 主分类号： | H04R3/00 | 分类号： | H04R3/00 |
| 代理公司： | 广州积特知识产权代理事务所(普通合伙) 44640 | 代理人： | 李嘉怡 |
| 地址： | 510700 广东省广州市黄埔区黄埔公园*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 功率 音频 放大 芯片 抑制 电路 架构 | ||
【权利要求书】：
1.一种小功率音频放大芯片抑制电路架构，其特征在于，包括：无内置‘POP’声抑制单元集成功放芯片、电源系统、主系统、扬声器和‘POP’声抑制电路，且电源系统电性输出连接无内置‘POP’声抑制单元集成功放芯片，无内置‘POP’声抑制单元集成功放芯片双向电性连接主系统，‘POP’声抑制电路电性输出连接无内置‘POP’声抑制单元集成功放芯片，无内置‘POP’声抑制单元集成功放芯片电性输出连接扬声器；
‘POP’声抑制电路包括两种晶体管Q6和Q9、电阻R72、电阻R87和电阻R75。
2.根据权利要求1所述的一种小功率音频放大芯片抑制电路架构，其特征在于：所述晶体管Q9为NPN三极管，其型号选择包括但不限于MMBT3904。
3.根据权利要求2所述的一种小功率音频放大芯片抑制电路架构，其特征在于：所述晶体管Q6为PMOS管，其型号选择包括但不限于AO3407A。
4.根据权利要求3所述的一种小功率音频放大芯片抑制电路架构，其特征在于：所述电阻R72为PMOS管栅极上拉电阻。
5.根据权利要求4所述的一种小功率音频放大芯片抑制电路架构，其特征在于：所述电阻R87为三极管栅极下拉电阻。
6.根据权利要求5所述的一种小功率音频放大芯片抑制电路架构，其特征在于：所述电阻R75为输入电阻。
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