[实用新型]一种新型晶圆承载装置有效
申请号: | 202320194418.5 | 申请日: | 2023-02-13 |
公开(公告)号: | CN219435846U | 公开(公告)日: | 2023-07-28 |
发明(设计)人: | 纪海瑞;白晓磊;林延春 | 申请(专利权)人: | 大连诺豪联恒电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687 |
代理公司: | 沈阳天赢专利代理有限公司 21251 | 代理人: | 尹思雪 |
地址: | 辽宁省大连市中国(辽宁)自由贸易试验区*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 新型 承载 装置 | ||
本实用新型公开了一种新型晶圆承载装置,包括底板,所述第一限位板的内侧上方与盘体的顶部相贴合,所述第一限位板的底部固接有与顶板的一侧通孔活动相连的连杆,所述连杆的下方通过螺栓固接有滑套,所述滑套的内壁滑动卡接有与顶板底部相固接的滑轨,所述滑轨的外壁活动相连有第一弹簧,所述第一弹簧的两端分别与滑轨的一侧和滑套的一侧固定连接。本实用新型涉及晶圆承载装置技术领域,通过橡胶柱、滑块和插槽之间的配合,实现了对盘体的快速固定,解决了现有的盘体固定方式需要借助外界工具来转动螺栓进行固定,这样的固定方式延长了工作时间,在连续作业中降低了工作效率的问题。
技术领域
本实用新型涉及晶圆承载装置技术领域,具体为一种新型晶圆承载装置。
背景技术
晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片,其原始材料是硅。高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种,然后慢慢拉出,形成圆柱形的单晶硅。硅晶棒在经过研磨,抛光,切片后,形成硅晶圆片,也就是晶圆。国内晶圆生产线以8英寸和12英寸为主,晶圆的主要加工方式为片加工和批加工,即同时加工1片或多片晶圆。随着半导体特征尺寸越来越小,加工及测量设备越来越先进,使得晶圆加工出现了新的数据特点,在进行承装时提供了一种新型晶圆承载装置。
化学气相沉积为半导体组件制程中重要的制程技术之一。其方法主要是将晶圆暴露在一种或多种不同的前驱物下,使晶圆表面发生氧化还原等化学反应,藉此沉积薄膜于晶圆表面上。在进行化学气相沉积的过程中,薄膜之膜厚均匀度是决定薄膜质量好坏的重要指标之一。为此,在化学气相沉积的过程中,常用加热晶圆载体、变化反应腔室之形状、修改簇射头特性,以及旋转晶圆载体等方式提高薄膜之膜厚均匀度,在固定盘体时是采用螺栓安装有加工机体上。
但是现有的盘体固定方式需要借助外界工具来转动螺栓进行固定,这样的固定方式延长了工作时间,在连续作业中降低了工作效率。
实用新型内容
针对现有技术的不足,本实用新型提供了一种新型晶圆承载装置,解决了现有的盘体固定方式需要借助外界工具来转动螺栓进行固定,这样的固定方式延长了工作时间,在连续作业中降低了工作效率的问题。
为实现上述目的,本实用新型通过以下技术方案予以实现:一种新型晶圆承载装置,包括底板,所述底板的顶部通过轴承转动相连有圆杆,所述圆杆的顶部固接有顶板,所述顶板的顶部固接有定位块,所述顶板的顶部贴合有盘体,所述盘体的内部设置有多个晶圆,所述顶板的上方设置有固定机构,固定机构包括第一限位板、连杆、滑套、滑轨、第一弹簧、插杆和插槽,所述第一限位板的底部与顶板的顶部相贴合,所述第一限位板的内侧上方与盘体的顶部相贴合,所述第一限位板的底部固接有与顶板的一侧通孔活动相连的连杆,所述连杆的下方通过螺栓固接有滑套,所述滑套的内壁滑动卡接有与顶板底部相固接的滑轨,所述滑轨的外壁活动相连有第一弹簧,所述第一弹簧的两端分别与滑轨的一侧和滑套的一侧固定连接。
优选的,所述限位板的一侧设置有与顶板的顶部相贴合的插杆,所述插杆的一侧设置有开设在顶板顶部的插槽,所述限位板的一侧固接有外壳,所述外壳的内壁滑动卡接有滑块,所述滑块的外壁一侧与外壳的一侧通孔活动相连,所述滑块的顶部通过橡胶柱与外壳的内壁顶部固定连接,所述滑块的底部与插杆的顶部相固接,所述插杆的外壁与外壳的底部通孔活动相连。
优选的,所述滑块的一侧安装有拉环。
优选的,所述底板的顶部凹槽活动相连有卡块,所述卡块的顶部固接有环形板,所述环形板的一侧通孔活动相连有直杆,所述直杆的顶部与顶板的底部固定连接,所述直杆的底部固接有与环形板底部相贴合的第二限位板,所述直杆的外壁活动相连有第二弹簧,所述第二弹簧的两端分别与顶板的底部和环形板的顶部固定连接。
优选的,所述环形板的一侧安装有握柄。
有益效果
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造