[实用新型]一种多功能的共晶机有效
申请号: | 202320236204.X | 申请日: | 2023-02-06 |
公开(公告)号: | CN219106090U | 公开(公告)日: | 2023-05-30 |
发明(设计)人: | 李金龙;李德荣;李银拴 | 申请(专利权)人: | 佑光智能半导体科技(深圳)有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/677;H01L21/60 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518172 广东省深圳市龙岗*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 多功能 共晶机 | ||
本申请涉及一种多功能的共晶机,属于激光三极管的芯片共晶领域,主要应用于对大功率激光三极管进行热沉芯片、保护芯片及激光芯片的芯片共晶,其包括机架底板、用于进行芯片共晶的共晶平台、第一供晶模块以及第二供晶模块。第一供晶模块可供应并转运激光芯片;第二供晶模块包括用于对保护芯片供料的第二供料位、用于对热沉芯片供料的第三供料位以及驱动所述第二供料位及第三供料位沿XY轴同步运动的供料驱动件,以实现单机一体实现三层芯片的共晶工序的效果,从而改善了相关技术手段中需两个设备单元分段依次操作且需转运机械手转运预共晶产品,继而存在的大功率激光三极管芯片共晶效率较低的问题。
技术领域
本申请涉及激光三极管的芯片共晶领域,尤其是涉及一种多功能的共晶机。
背景技术
激光三极管是一种光电转换晶体管,常应用于先进制造、医疗、航空航天、光纤通信等各种高科技领域的电路控制。一般的激光三极管包括管座、焊接设置于管座顶壁的热沉芯片以及焊接于热沉芯片顶部的激光芯片。激光芯片是一种可以激光感应物体距离和大小并反馈光信号的一种微型感应元件;热沉芯片是一种既可传递电流,又可冷却散热以稳定整体工作温度的一种微型散热元件。
相关技术手段中一般激光三极管用共晶机包括机架底板以及设置于机架底板的共晶单元,共晶单元包括用于固定管座并对依次进行芯片共晶的共晶平台、用于将管座上料至共晶平台或将激光三极管下料的第一机械手、用于转运热沉芯片至共晶平台的第二机械手、用于转运激光芯片至共晶平台的第三机械手。但在大功率激光三极管的芯片共晶过程中,热沉芯片和激光芯片之间还需加装一块保护芯片以使整体稳定适配大功率的工作环境。因此,相关技术手段的共晶机加装了转运机械手以及同样含有共晶平台的共晶单元,且共晶单元不再进行激光芯片的共晶,而是先在共晶单元进行管座、热沉芯片以及保护芯片的预共晶,而后利用转运机械手将预共晶产品转运至共晶单元进行激光芯片的焊接共晶工序。
针对上述中的相关技术手段,因大功率激光三极管的三层芯片共晶需两个设备单元分段依次操作且需转运机械手转运预共晶产品,从而存在大功率激光三极管芯片共晶效率较低的问题。
实用新型内容
为了改善上述相关技术手段中因大功率激光三极管的三层芯片共晶需两个设备单元分段依次操作且需转运机械手转运预共晶产品,从而存在大功率激光三极管芯片共晶效率较低的问题,本申请提供一种多功能的共晶机。
本申请提供的一种多功能的共晶机,采用如下的技术方案。
一种多功能的共晶机,包括:
机架底板,所述机架底板固定设置有安装支架以及设置于所述安装支架的共晶平台;
管座转运模块,安装于所述机架底板并用于将管座上料至所述共晶平台及对所述共晶平台共晶完成产品进行抓取下料;
第一供晶模块,安装于所述机架底板并用于对激光芯片供料并转运至所述共晶平台进行固晶,所述第一供晶模块包括用于对激光芯片供料的第一供料位;
第二供晶模块,安装于所述机架底板并用于对热沉芯片及保护芯片供料并依次转运至所述共晶平台进行预共晶,所述第二供晶模块包括用于供料的芯片供料组件以及用于依次将所述芯片供料组件的芯片转运至所述共晶平台的芯片转运组件;所述芯片供料组件包括用于对保护芯片供料的第二供料位、用于对热沉芯片供料的第三供料位以及驱动所述第二供料位及所述第三供料位沿XY轴同步运动的供料驱动件。
通过采用上述技术方案,共晶平台先依次对第二供晶模块转运而来的热沉芯片及保护进行管座预共晶,而后对第一供晶模块转运而来的激光芯片进行固晶,以实现单机一体实现三层芯片的共晶工序的效果,从而改善了相关技术手段中因大功率激光三极管的三层芯片共晶需两个设备单元分段依次操作且需转运机械手转运预共晶产品,继而存在的大功率激光三极管芯片共晶效率较低的问题。另一方面,容置有保护芯片的第二供料位与容置有热沉芯片的第三供料位共同设置于同一供料驱动件,结构紧凑、节省空间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造