[实用新型]一种可加热晶圆清洗装置有效

专利信息
申请号: 202320327923.2 申请日: 2023-02-27
公开(公告)号: CN219401574U 公开(公告)日: 2023-07-25
发明(设计)人: 朴英植 申请(专利权)人: 成都高真科技有限公司
主分类号: B08B13/00 分类号: B08B13/00;B08B3/02;B08B3/08;B08B11/00;H01L21/67;B08B3/10
代理公司: 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 代理人: 孙元伟
地址: 610000 四川*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 加热 清洗 装置
【说明书】:

实用新型提供了一种可加热晶圆清洗装置,包括:旋流室,内部设有清洗晶圆的工位;洗剂供应单元,用于输送清洗晶圆和旋流室的洗剂,所述洗剂的输出方向朝向清洗晶圆的工位或旋流室的内壁;加热单元,所述加热单元至少部分与旋流室的内壁面导热连接,用于融化清洗过程中凝结在旋流室内壁面的结晶体。通过加热单元的设置,对喷洒洗剂过程中旋转溅射到旋流室内壁面凝固形成的结晶体进行溶解,并降低凝固结晶的概率,对旋流室的清洁更加方便,清洁效果更好,而且能够避免结晶污染晶圆,采用该装置进行晶圆清洗可有效提高晶圆的良品率。

技术领域

本实用新型涉及晶圆清洗技术领域,具体而言,涉及一种可加热晶圆清洗装置。

背景技术

晶圆清洗是将晶圆在不断被加工成形及抛光处理的过程中,由于与各种有机物、粒子及金属接触而产生的污染物清除的工艺。晶圆清洗通常分为湿式清洗和干式清洗。湿式清洗为使用液态清洗介质,例如SPM、LAL、POLY等化学药剂或者去离子水等,以喷洒、冲洗、氧化、蚀刻的方式对污染物进行处理。通常在使用各种化学药剂之后还需经过去离子水的润湿清洁。干式清洗为使用气相化学物,一般通过提供化学反应所需的激发能量的方式对晶圆进行清洁晶圆,其中的激发能量是热能、等离子能或辐射能。

现有技术中,当使用化学药剂对晶圆进行清洗时,不可避免的,会造成清洗装置的内部污染,这些污染主要是化学药剂在反应过程中所产生的反应气体或粉尘附着在装置内壁,并且由于装置内部通常需要进行旋转动作,会进一步加剧这样的情况发生,反应气体或粉尘附着在装置内壁时随温度变化会形成结晶,进行常规的冲洗无法完全清除凝固在装置内壁上的结晶,并且再进行冲洗和后续的干燥工艺时,凝固在清洗装置内壁的结晶将会脱落,部分脱落结晶将附着在晶圆表面,导致晶圆被污染,降低了晶圆的品质,影响晶圆制作工艺的良品率。

实用新型内容

本实用新型旨在至少解决现有技术中存在清洗用到的化学药剂在反应过程中所产生的反应气体或粉尘附着在装置内壁容易形成结晶,常规的冲洗无法完全清除凝固在装置内壁上的结晶,凝固在清洗装置内壁的结晶将会脱落,部分脱落结晶将附着在晶圆表面,导致晶圆被污染,降低了晶圆的品质,影响晶圆制作工艺的良品率的技术问题之一。

为此,本实用新型提供了一种可加热晶圆清洗装置。

本实用新型提供了一种可加热晶圆清洗装置,包括:

旋流室,内部设有清洗晶圆的工位;

洗剂供应单元,用于输送清洗晶圆和旋流室的洗剂,所述洗剂的输出方向朝向清洗晶圆的工位或旋流室的内壁;

加热单元,所述加热单元至少部分与旋流室的内壁面导热连接,用于融化清洗过程中凝结在旋流室内壁面的结晶体。

本实用新型提出的一种可加热晶圆清洗装置,待清洗晶圆放置在旋流室内,待清洗晶圆的表面即为清洗靖远的工位;洗剂供应单元内的洗剂可以为SPM、LAL、POLY或者去离子水等,其中,SPM指硫酸和过氧化氢混合洗液,LAL指包含氟化物的洗液,POLY指多晶硅的洗液;通常化学药剂主要用于清洗晶圆,去离子水即可清洗晶圆也可清洗旋流室内部;当旋流室内壁附着由清洗过程中的化学反应导致的结晶时,可开启加热单元对旋流室的内壁面进行加热,使结晶溶解;也可在清洗过程中,保持加热单元开启,加热单元对旋流室的内壁面进行加热,防止化学气体或粉尘等凝固在旋流室内壁面上;其中,加热单元与旋流室内壁面的导热连接指加热单元的热量能够传导至旋流室内壁面,具体地,可以直接将具有电加热功能的器件设置在内壁面的内侧或外侧,也可将具有电加热功能的器件所产生的热量通过具有良好导热能力的材质传递向旋流室内壁。

根据本实用新型上述技术方案的一种可加热晶圆清洗装置,还可以具有以下附加技术特征:

在上述技术方案中,所述加热单元包括:

第一加热组件,设置于旋流室的内壁面。

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