[实用新型]硅片镀膜装置及电池片生产系统

说明书

本实用新型涉及一种硅片镀膜装置及电池片生产系统，由于载具处理机构位于所述下料位置远离所述镀膜腔的一侧，即处理腔与镀膜腔为不同的腔室，从而能够分别对镀膜腔的内壁进行清理以及对载具进行清理，而且，对镀膜腔的内壁进行清理后即可进行产线的运转而将载具的清理单独通过载具处理机构进行，占用的生产时间大大减少，保证生产效率。同时，只需在进行镀膜腔的内壁清理时进行反应气体的通入，反应气体在镀膜腔内的用量少，不会或极少在镀膜腔内残留，不会对镀膜腔造成污染，保证产品的电流效率。

技术领域

本实用新型涉及光伏技术领域，特别是涉及一种硅片镀膜装置及电池片生产系统。

背景技术

采用PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，等离子体增强化学气相沉积法)工艺进行电池片的生产过程中，利用上料机构在上料位置处将硅片放置在载具上后，利用输送机构将放置有硅片的载具输送至镀膜机构的镀膜腔内以对硅片进行镀膜，镀膜完成后，输送机构将载具和镀膜完成后的硅片输送至下料位置处，利用下料机构将完成镀膜的硅片取下，再利用回传机构将载具回传至上料位置处进行上料，如此循环，完成各个硅片的镀膜。

由于在镀膜过程中，镀膜腔的内壁上会沉积一定厚度的膜层，当膜层从内壁上掉落至硅片上时，会影响镀膜质量；同时，在镀膜过程中，还会在载具上沉积掺杂膜层，从而对硅片的下表面造成污染，也会影响镀膜质量。基于此，需要对镀膜腔的内壁以及载具进行清洗，但是对生产效率造成影响，同时，还会影响产品的电流效率。

实用新型内容

基于此，有必要针对对生产效率及电流效率造成影响的问题，提供一种硅片镀膜装置及电池片生产系统。

其技术方案如下：

一方面，提供了一种硅片镀膜装置，包括：

镀膜机构，所述镀膜机构设有镀膜腔；

输送机构，所述输送机构用于将载具输送至镀膜腔内进行镀膜后输出，所述输送机构具有处于所述镀膜腔后方的下料位置；

载具处理机构，所述载具处理机构位于所述下料位置远离所述镀膜腔的一侧，所述载具处理机构设有处理腔以对所述载具进行清理并对所述载具进行非晶硅膜层的沉积；

下料机构，所述下料机构位于所述输送机构与所述载具处理机构之间，所述下料机构用于将所述下料位置处的载具转运至所述处理腔内。

下面进一步对技术方案进行说明：

在其中一个实施例中，所述硅片镀膜装置还包括存储机构，所述存储机构设有存储腔，通过所述下料机构将所述处理腔内的所述载具转运至所述存储腔内。

在其中一个实施例中，所述硅片镀膜装置还包括抽真空机构,所述抽真空机构用于对所述存储腔进行抽真空处理。

在其中一个实施例中，所述下料机构设置为升降平台，所述处理腔及所述存储腔沿所述升降平台的升降方向排布，且所述存储腔设置于所述处理腔的下方。

在其中一个实施例中，所述硅片镀膜装置还包括第一输送件，所述第一输送件设置于所述升降平台与所述存储腔之间以使得所述载具在所述升降平台与所述存储腔之间进行转运。

在其中一个实施例中，所述硅片镀膜装置还包括第二输送件，所述第二输送件设置于所述升降平台与所述处理腔之间以使得所述载具在所述升降平台与所述处理腔之间进行转运。

在其中一个实施例中，所述镀膜机构设有第一电离组件及与所述镀膜腔连通的第一注气通道，所述第一电离组件设置于所述镀膜腔内。