[实用新型]整流单元以及整流电路

权利要求书

1.一种整流单元，其特征在于，包括：

模拟开关器件SR1、延时电路以及控制器；所述模拟开关器件SR1的漏极与所述模拟开关器件SR1的源极之间包括所述延时电路以及所述控制器；所述延时电路用于使得所述控制器的检测端电压延后达到第一芯片阈值；

所述控制器，用于根据所述控制器的检测端电压向所述模拟开关器件SR1输出驱动信号。

2.根据权利要求1所述的整流单元，其特征在于，所述模拟开关器件SR1为同步整流金氧半场效晶体管。

3.根据权利要求2所述的整流单元，其特征在于，所述整流单元还包括耐高压MOSFETQ1；所述模拟开关器件SR1的漏极连接所述耐高压MOSFET Q1；

所述延时电路包括第二电阻R2、第二滤波电容C2和开关控制器件Q2，或者，所述延时电路包括第一电阻R1、第二电阻R2、第二滤波电容C2和开关控制器件Q2。

4.根据权利要求2所述的整流单元，其特征在于，所述延时电路包括第一电阻R1、第二电阻R2、第二滤波电容C2和开关控制器件Q2。

5.根据权利要求3或4所述的整流单元，其特征在于，在所述驱动信号用于表征高电平的情况下所述开关控制器件Q2关断；在所述驱动信号用于表征低电平的情况下所述开关控制器件Q2导通。

6.根据权利要求5所述的整流单元，其特征在于，所述开关控制器件Q2为P沟道MOSFET。

7.根据权利要求3所述的整流单元，其特征在于，在所述整流单元中的交流电流的负半周过零后，所述控制器的检测端电压Vd满足：其中，VD为所述模拟开关器件SR1的漏极电压，R1为所述耐高压MOSFET Q1的导通内阻，或者，R1为所述第一电阻R1的电阻值与所述耐高压MOSFET Q1的导通内阻之和；R2为所述第二电阻R2的电阻值，Vc2为所述第二滤波电容C2的电压。

8.根据权利要求4所述的整流单元，其特征在于，在所述整流单元中的交流电流的负半周过零后，所述控制器的检测端电压Vd满足：其中，VD为所述模拟开关器件SR1的漏极电压，R1为所述第一电阻R1的电阻值，R2为所述第二电阻R2的电阻值，Vc2为所述第二滤波电容C2的电压。

9.根据权利要求7或8所述的整流单元，其特征在于，在所述控制器的检测端电压Vd达到所述第一芯片阈值的情况下，所述驱动信号用于驱动高电平；所述模拟开关器件SR1基于所述驱动信号饱和导通，所述开关控制器件Q2基于所述驱动信号关断。

10.根据权利要求4所述的整流单元，其特征在于，所述第一电阻R1包括一个电阻,或者，所述第一电阻R1包括并联或串联的至少两个电阻。

11.根据权利要求1-4任一项所述的整流单元，其特征在于，还包括：与所述控制器连接的第一滤波电容C1，第三电阻R3以及第三滤波电容C3；其中，所述第一滤波电容C1和所述第三滤波电容C3用于为所述控制器滤波，所述第三电阻R3用于为所述控制器设置控制参数。

12.一种整流电路，其特征在于，包括如权利要求1-10任一项所述的整流单元。